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关 键 词：进口三管2N3906
行 业：仪器仪表 电子元器件 电源IC
发布时间：2020-11-17
三管测判口诀：
三管的管型及管脚的判别是电子技术初学者的一项基本功，为了帮助读者迅速掌握测判方法，笔者总结出四句口诀：“三颠倒，找基；PN结，定管型；顺箭头，偏转大；测不准，动嘴巴。”下面让我们逐句进行解释吧。
1： 三颠倒，找基
大家知道，三管是含有两个PN结的半导体器件。根据两个PN结连接方式不同，可以分为NPN型和PNP型两种不同导电类型的三管。
测试三管要使用万用电表的欧姆挡，并选择R×100或R×1k挡位。图2绘出了万用电表欧姆挡的等效电路。红表笔所连接的是表内电池的负，黑表笔则连接着表内电池的正。
假定我们并不知道被测三管是NPN型还是PNP型，也分不清各管脚是什么电。测试的步是判断哪个管脚是基。这时，我们任取两个电(如这两个电为1、2)，用万用电表两支表笔颠倒测量它的正、反向电阻，观察表针的偏转角度；接着，再取1、3两个电和2、3两个电，分别颠倒测量它们的正、反向电阻，观察表针的偏转角度。在这三次颠倒测量中，必然有两次测量结果相近：即颠倒测量中表针一次偏转大，一次偏转小；剩下一次必然是颠倒测量前后指针偏转角度都很小，这一次未测的那只管脚就是我们要寻找的基。
2：PN结，定管型
找出三管的基后，我们就可以根据基与另外两个电之间PN结的方向来确定管子的导电类型。将万用表的黑表笔接触基，红表笔接触另外两个电中的任一电，若表头指针偏转角度很大，则说明被测三管为NPN型管；若表头指针偏转角度很小，则被测管即为PNP型。
3：顺箭头，偏转大
找出了基b，另外两个电哪个是集电c，哪个是发射e呢?这时我们可以用测穿透电流ICEO的方法确定集电c和发射e。
(1) 对于NPN型三管，穿透电流的测量电路。根据这个原理，用万用电表的黑、红表笔颠倒测量两间的正、反向电阻Rce和Rec，虽然两次测量中万用表指针偏转角度都很小，但仔细观察，总会有一次偏转角度稍大，此时电流的流向一定是：黑表笔→c→b→e→红表笔，电流流向正好与三管符号中的箭头方向一致顺箭头，所以此时黑表笔所接的一定是集电c，红表笔所接的一定是发射e。
(2) 对于PNP型的三管，道理也类似于NPN型，其电流流向一定是：黑表笔→e→b→c→红表笔，其电流流向也与三管符号中的箭头方向一致，所以此时黑表笔所接的一定是发射e，红表笔所接的一定是集电c。
4：测不出，动嘴巴
若在“顺箭头，偏转大”的测量过程中，若由于颠倒前后的两次测量指针偏转均太小难以区分时，就要“动嘴巴”了。具体方法是：在“顺箭头，偏转大”的两次测量中，用两只手分别捏住两表笔与管脚的结合部，用嘴巴含住(或用舌头抵住)基电b，仍用“顺箭头，偏转大”的判别方法即可区分开集电c与发射e。其中人体起到直流偏置电阻的作用，目的是使效果加明显。
三管类型的判别： 三管只有两种类型，即PNP型和NPN型。判别时只要知道基是P型材料还N型材料即可。当用多用电表R×1k挡时，黑表笔代表电源正，如果黑表笔接基时导通，则说明三管的基为P型材料，三管即为NPN型。如果红表笔接基导通，则说明三管基为N型材料，三管即为PNP型。
三管，全称应为半导体三管，也称双型晶体管、晶体三管，是一种控制电流的半导体器件。其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。
三管是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。
三管 （也称晶体管）在中文含义里面只是对三个引脚的放大器件的统称，我们常说的三管，可能是 如图所示的几种器件。
可以看到，虽然都叫三管，其实在英文里面的说法是千差万别的，三管这个词汇其实也是中文特有的一个象形意义上的的词汇。
“Triode”（电子三管）这个是英汉词典里面 “三管” 的英文翻译，与电子三管初次出现有关，是真正意义上的三管这个词初所指的物品。其余的在中文里称作三管的器件，实际翻译时不可以翻译成Triode。
电子三管 Triode （俗称电子管的一种）
双型晶体管 BJT （Bipolar Junction Transistor）
J型场效应管 Junction gate FET（Field Effect Transistor）
金属氧化物半导体场效应晶体管 MOS FET ( Metal Oxide Semi-Conductor Field Effect Transistor)英文全称
V型槽场效应管 VMOS （Vertical Metal Oxide Semiconductor ）
注：这三者看上去都是场效应管，其实金属氧化物半导体场效应晶体管 、V型槽沟道场效应管 是 单（Unipolar）结构的，是和 双（Bipolar）是对应的，所以也可以统称为单晶体管（Unipolar Junction Transistor）。
其中J型场效应管是非绝缘型场效应管，MOS FET 和VMOS都是绝缘型的场效应管。
VMOS是在 MOS的基础上改进的一种大电流，高放大倍数（跨道）新型功率晶体管，区别就是使用了V型槽，使MOS管的放大系数和工作电流大幅提升，但是同时也大幅增加了MOS的输入电容，是MOS管的一种大功率改进型产品，但是结构上已经与传统的MOS发生了巨大的差异。VMOS只有增强型的而没有MOS所特有的耗尽型的MOS管。
三管 （也称晶体管）在中文含义里面只是对三个引脚的放大器件的统称，我们常说的三管，可能是 如图所示的几种器件。
可以看到，虽然都叫三管，其实在英文里面的说法是千差万别的，三管这个词汇其实也是中文特有的一个象形意义上的的词汇。
“Triode”（电子三管）这个是英汉词典里面 “三管” 的英文翻译，与电子三管初次出现有关，是真正意义上的三管这个词初所指的物品。其余的在中文里称作三管的器件，实际翻译时不可以翻译成Triode。
电子三管 Triode （俗称电子管的一种）
双型晶体管 BJT （Bipolar Junction Transistor）
J型场效应管 Junction gate FET（Field Effect Transistor）
金属氧化物半导体场效应晶体管 MOS FET ( Metal Oxide Semi-Conductor Field Effect Transistor)英文全称
V型槽场效应管 VMOS （Vertical Metal Oxide Semiconductor ）
