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关 键 词：苹果充电器,芯片PN8366
行 业：电子 电源/电池 电源适配器
发布时间：2020-11-02
PN8366是一款集成超低待机功耗准谐振原边控制器及高雪崩能力智能功率MOSFET(PN8366M 700*8366H 800V)，新颖的“频谱扩展”专利技术, 大大改善了系统EMI性能，实现了电源系统的低成本化。
PN8366集成超低待机功耗准谐振原边控制器及830V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8366为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。
PN8044/PN8046非隔离AC-DC开关电源芯片因其电路简单、BOM成本低（元件数目极少：无需变压器、电感、光耦），电源体积小、无噪音、发热低等特点，可通过EFT、雷击、浪涌等可靠性测试，可通过3C、UL、CE等
PN8044/PN8046非隔离AC-DC电源芯片降压电路，采用BUCK拓扑结构，常见于小家电控制板电源以及工业控制电源供电，其典型电路规格包含5V/0.5A、12V/0.5A和24V/0.5A等，满足六级能效要求，骊微电子广泛应用于非隔离型家电产品和工业产品等。
芯朋Chipown的PN8147、PN8149单芯片六级能效方案，更少的器件，更多的保护功能，让您的电源设计更加简洁可靠。
PN8307H包括同步整流控制器及N型功率MOSFET，用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8307M内置电压降极低的功率MOSFET以提高电流输出能力，提升转换效率，使得系统效率可以满足6级能效的标准，并留有足够的裕量。PN8307M集成了极为全面的辅助功能，包含输出欠压保护、小导通时间等功能。
PN8161产品特征：
■ 内置650V高雪崩能力的功率MOSFET
■ 准谐振工作
■ 高开关频率125kHz
■ 精简，无需启动电阻及CS检测电阻
■ 高低压脚位两侧排列提高安全性
■ 内置高压启动，空载待机功耗<50mW @230VAC
■ 改善EMI的频率调制技术
■ 供电电压8-40V，适合宽输出电压应用
■ 优异全面的保护功能
? 过温保护 (OTP)
? 输出过压保护
? 逐周期过流保护 (OCP)
? 输出开/短路保护
? 次级整流管短路保护
? 过负载保护（OLP）
