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关 键 词：5V3A充电器芯片AP8269
行 业：电子 电源/电池 电源适配器
发布时间：2020-11-02
PN8275产品特征：
■ 内置高压启动电路
■ QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode混合模式提高效率
■ 自适应PWM开关频率65/85kHz，减小变压器体积
■ 内置输入欠压保护(PN8275)
■ 内置输入过压保护(PN8275P)
■ 内置X电容放电功能(通过IEC62368-1:2014认证)
■ 空载待机功耗< 50 mW @230VAC
■ 改善EMI的频率调制技术
■ 供电电压8~40V，适合宽输出电压应用
■ 线电压补偿外部可调
■ 优异全面的保护功能
? 过温保护 (OTP)
? 输出过压保护
? 逐周期过流保护 (OCP)
? 输出开/短路保护
? 专利的DMG电阻短路保护(Latch模式)
? 次级整流管短路保护
? 过负载保护（OLP）
PN8366M小功率电源适配器ic六级能效5V/1.2A适配器应用方案：
■ 输出规格5V/1.2A
■ 内置高压启动+多工作模式+专利谷底开通技术，满足六级能效标准
■ 双段驱动技术，EMC性能优越，无需Y电容及输出共模电感
PN8366M小功率电源适配器ic六级能效6W适配器应用方案：
■ 输出规格：12V/0.5A
■ 集成专利高压启动模块+低工作电流，待机功耗＜50mw，10%负载效率裕量充足
■ PFM+PWM+QR多工作模式提高平均效率，满足六级能效要求，消除异音
■ 方案精简：无需启动线路、去Y电容。
■ 可通过6KV Surge测试
PN8036M非隔离ac/dc电源芯片主要是用于外围精简的开关电源，其内部集成了PFM控制器以及智能功率MOSFET，内置MOSFET具有650V高雪崩能力，实现系统快速启动、超低待机功能，并具有过流、欠压、过温保护，PN8036M采用的降频调制技术有效改善了EMI特性，下面跟随骊微电子芯朋微代理详细了解非隔离ac/dc电源芯片PN8036M。
5v适配器ic低功耗充电器芯片方案亮点 ：
1、外围简洁（节省8颗元件）：PN8370M节省2颗启动电阻；PN8306M独特控制技术可实现零外围工作，节省传统SR方案的供电RC滤波，SW侦测电阻，RT电阻，RC吸收等6颗元件。
2、高可靠性：a.方案三道防线，实现SR与PSR零直通风险；b.芯片HBM ESD大于4kV，latchup电流大于400mA，显着提高系统安规能力，接触静电高达15kV； c.PSR与SR匹配工作，彻底避免小载采样冲突，异常工况下，SR做好配角，PSR主导所有异常保护。
3、低待机功耗：PN8370M内置高压启动，可轻松实现50mW待机功耗。
PN8366集成超低待机功耗准谐振原边控制器及高雪崩能力智能功率MOSFET(PN8366M 700V,PN8366H 800V)，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8366为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC）小于30mW。在恒压模式，采用准谐振与多模式技术提高效率并消除音频噪声，使得系统满足6级能效标准，可调输出线补偿功能能使系统获得较好的负载调整率；在恒流模式，输出电流和功率可通过CS脚的电阻进行调节。该芯片提供了极为全面的智能保护功能，包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护等。
PN8366产品特点：
内置高雪崩能力智能功率MOSFET(M 700V/H 800V)
内置高压启动电路，小于30mW空载损耗（230VAC）
采用准谐振与多模式技术提高效率，满足6级能效标准
全电压输入范围±5%的CC/CV精度
原边反馈可省光耦和TL431
恒压、恒流、输出线补偿外部可调
无需额外补偿电容
无音频噪声
智能保护功能
过温保护 (OTP)
VDD欠压&过压保护 (UVLO&OVP)
逐周期过流保护 (OCP)
CS开/短路保护 (CS O/SP）
开环保护 (OLP)
PN8570集成低待机功耗准谐振原边控制器及BJT，用于低成本、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8570 为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。在恒压模式，采用准谐振与多模式技术提高效率并消除音频噪声，使得系统 满足6级能效标准，可调输出线补偿功能能使系统获得较好的负载调整率；在恒流模式，输出电流和功率可通过CS脚的电 阻进行调节。该芯片提供了极为全面的智能保护功能，包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短 路保护和CS开/短路保护等，同时还集成AC过压保护功能。
