12V1.5A充电器芯片PN8048
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行 业：电子 电源/电池 电源适配器
发布时间：2020-10-27
电源ic就是指开关电源的脉宽控制集成，电源靠它来调整输出电压电流的稳定。手机是电源管理芯片为重要的应用场合，PN8368集成超低待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8368为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC）小于30mW。
低功耗高效率电源芯片PN8368功能特点：
1.内置650V高雪崩能力智能功率MOSFET
2.内置高压启动电路，小于30mW空载损耗（230VAC）
3.采用准谐振与多模式技术提高效率，满足6级能效标准
4.全电压输入范围±5%的CC/CV精度
5.原边反馈可省光耦和TL431
6.恒压、恒流、输出线补偿外部可调
7.无需额外补偿电容
8.无音频噪声
9.智能保护功能
PN8366集成超低待机功耗准谐振原边控制器及高雪崩能力智能功率MOSFET(PN8366M 700V,PN8366H 800V)，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8366为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC）小于30mW。在恒压模式，采用准谐振与多模式技术提高效率并消除音频噪声，使得系统满足6级能效标准，可调输出线补偿功能能使系统获得较好的负载调整率；在恒流模式，输出电流和功率可通过CS脚的电阻进行调节。该芯片提供了极为全面的智能保护功能，包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护等。
PN8366产品特点：
内置高雪崩能力智能功率MOSFET(M 700V/H 800V)
内置高压启动电路，小于30mW空载损耗（230VAC）
采用准谐振与多模式技术提高效率，满足6级能效标准
全电压输入范围±5%的CC/CV精度
原边反馈可省光耦和TL431
恒压、恒流、输出线补偿外部可调
无需额外补偿电容
无音频噪声
智能保护功能
过温保护 (OTP)
VDD欠压&过压保护 (UVLO&OVP)
逐周期过流保护 (OCP)
CS开/短路保护 (CS O/SP）
开环保护 (OLP)
电源管理芯片的应用范围十分广泛，发展电源管理芯片对于提高整机性能具有重要意义，对电源管理芯片的选择与系统的需求直接相关，所有电子设备都有电源，但是不同的系统对电源的要求不同，电子设备所具备的功能越多、性能越高，其结构、技术、系统就越复杂，为了发挥电子系统的佳性能，需要选择适合的电源管理方式。
开关电源芯片PN8368是一款应用于5-12W以内AC/DC超低待机功耗准谐振原边反馈交直流转换器，内部集成超低待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，恒压控制模式采用多模式控制方式，合理的兼容了芯片的高性能、高精度和高效率。在全电压交流输入范围内，采用独有的自适应补偿专利技术，输出过功率保护电具有很高的一致性，同时在通过内置的线损补偿电路保证了较高的输出电压精度。
PN8370是一款高性能的原边反馈控制器。PN8370工作在原边检测和调整模式，可省略系统的光耦和TL431。PN8370拥有恒流恒压控制环路，可以实现高精度的恒压、恒流输出，能够满足大部分充电器和适配器需求。PN8370内置高压启动电路和极低的芯片功耗使得系统能够满足较高的待机功耗标准。
PN8370M+PN8306M 5v开关电源芯片六级能效方案亮点 :
外围简洁（节省8颗元件）：PN8370M节省2颗启动电阻；PN8306M独特控制技术可实现零外围工作，节省传统SR方案的供电RC滤波，SW侦测电阻，RT电阻，RC吸收等6颗元件。
高可靠性：a.方案三道防线，实现SR与PSR零直通风险；b.芯片HBM ESD大于4kV，latchup电流大于400mA，显着提高系统安规能力，接触静电高达15kV； c.PSR与SR匹配工作，彻底避免小载采样冲突，异常工况下，SR做好配角，PSR主导所有异常保护。
低待机功耗：PN8370M内置高压启动，可轻松实现50mW待机功耗。
5v开关电源芯片充电器方案PN8370M+PN8306M因其外围极简、高可靠性、超低待机、高效率等优点，备受工程师们青睐，如需了解更多5v开关电源芯片详情或申请样板使用，可向骊微电子申请。。。。。。
