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FET 类型 P 通道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss） 30V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 4A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 50 毫欧 @ 4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 1.3V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 14nC @ 10V Vgs（最大值） ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 645pF @ 15V FET 功能 - 功率耗散（最大值） 1.4W（Ta） 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 表面贴装型 供应商器件封装 SOT-23-3 封装/外壳 TO-236-3，SC-59SOT-23-3
