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STP9527替代AO4443、AO4485、
描述
STP9527是P沟道增强型功率场效应晶体管逻辑的
采用高密度，DMOS器件沟道技术。这种高密度
工艺特别适合于小化状态电阻。这些器件
特别适合于低电压应用，noteook电源管理和缓解
电池供电的电路中的高侧开关。
特征
- 40V / -10.0a，RDS（上）= 32ma（典型值）
@ VGS = -10V
- 40V / -8.0a，RDS（上）= 38ma
@ VGS = 4.5v
超高密度电池设计
极低的RDS（on）
异常电阻和大值
直流电流的能力
SOP-8封装设计
