JST三管AMS1117-3.3V 型号齐全
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关 键 词：JST三管AMS1117-3.3V
行 业：仪器仪表 电子元器件 电源IC
发布时间：2019-11-16
三管产品分类：
a.按材质分: 硅管、锗管
b.按结构分: NPN 、 PNP。如图所示。
c.按功能分: 开关管、功率管、达林顿管、光敏管等.
d. 按功率分：小功率管、率管、大功率管
e.按工作频率分：低频管、高频管、超频管
f.按结构工艺分：合金管、平面管
g.按安装方式:插件三管、贴片三管
三管 （也称晶体管）在中文含义里面只是对三个引脚的放大器件的统称，我们常说的三管，可能是 如图所示的几种器件。
可以看到，虽然都叫三管，其实在英文里面的说法是千差万别的，三管这个词汇其实也是中文特有的一个象形意义上的的词汇。
“Triode”（电子三管）这个是英汉词典里面 “三管” 的英文翻译，与电子三管初次出现有关，是真正意义上的三管这个词初所指的物品。其余的在中文里称作三管的器件，实际翻译时不可以翻译成Triode。
电子三管 Triode （俗称电子管的一种）
双型晶体管 BJT （Bipolar Junction Transistor）
J型场效应管 Junction gate FET（Field Effect Transistor）
金属氧化物半导体场效应晶体管 MOS FET ( Metal Oxide Semi-Conductor Field Effect Transistor)英文全称
V型槽场效应管 VMOS （Vertical Metal Oxide Semiconductor ）
三管的管型及管脚的判别是电子技术初学者的一项基本功，为了帮助读者迅速掌握测判方法，笔者总结出四句口诀：“三颠倒，找基；PN结，定管型；顺箭头，偏转大；测不准，动嘴巴。
半导体三管也称为晶体三管，可以说它是电子电路中重要的器件。它主要的功能是电流放大和开关作用。三管顾名思义具有三个电。二管是由一个PN结构成的，而三管由两个PN结构成，共用的一个电成为三管的基（用字母b表示）。其他的两个电成为集电（用字母c表示）和发射（用字母e表示）。由于不同的组合方式，形成了一种是NPN型的三管，另一种是PNP型的三管。三管的种类很多，并且不同型号各有不同的用途。三管大都是塑料封装或金属封装，常见三管的外观，有一个箭头的电是发射，箭头朝外的是NPN型三管，而箭头朝内的是PNP型。实际上箭头所指的方向是电流的方向。
晶体三管（以下简称三管）按材料分有两种：锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用多的是硅NPN和锗PNP两种三管，（其中，N是负的意思（代表英文中Negative），N型半导体在高纯度硅中加入磷取代一些硅原子，在电压下产生自由电子导电，而P是正的意思（Positive）是加入硼取代硅，产生大量空穴利于导电）。两者除了电源性不同外，其工作原理都是相同的，下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。
晶体三管具有电流放大作用，其实质是三管能以基电流微小的变化量来控制集电电流较大的变化量。这是三管基本的和重要的特性。我们将ΔIc/ΔIb的比值称为晶体三管的电流放大倍数，用符号"β"表示。电流放大倍数对于某一只三管来说是一个定值，但随着三管工作时基电流的变化也会有一定的改变。
三管，全称应为半导体三管，也称双型晶体管、晶体三管，是一种控制电流的半导体器件。其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。
三管放大原理
1、发射区向基区发射电子
电源Ub经过电阻Rb加在发射结上，发射结正偏，发射区的多数载流子(自由电子）不断地越过发射结进入基区，形成发射电流Ie。同时基区多数载流子也向发射区扩散，但由于多数载流子浓度远低于发射区载流子浓度，可以不考虑这个电流，因此可以认为发射结主要是电子流。
2、基区中电子的扩散与复合
电子进入基区后，先在靠近发射结的附近密集，渐渐形成电子浓度差，在浓度差的作用下，促使电子流在基区中向集电结扩散，被集电结电场拉入集电区形成集电电流Ic。也有很小一部分电子（因为基区很薄）与基区的空穴复合，扩散的电子流与复合电子流之比例决定了三管的放大能力。
3、集电区收集电子
由于集电结外加反向电压很大，这个反向电压产生的电场力将阻止集电区电子向基区扩散，同时将扩散到集电结附近的电子拉入集电区从而形成集电主电流Icn。另外集电区的少数载流子（空穴）也会产生漂移运动，流向基区形成反向饱和电流，用Icbo来表示，其数值很小，但对温度却异常敏感。
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