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关 键 词：进口三管MMBT2907A
行 业：仪器仪表 电子元器件 电源IC
发布时间：2019-10-26
三管，全称应为半导体三管，也称双型晶体管、晶体三管，是一种控制电流的半导体器件。其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。
晶体三管（以下简称三管）按材料分有两种：锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用*多的是硅NPN和锗PNP两种三管，（其中，N是负的意思（代表英文中Negative），N型半导体在高纯度硅中加入磷取代一些硅原子，在电压**下产生自由电子导电，而P是正的意思（Positive）是加入硼取代硅，产生大量空穴利于导电）。两者除了电源性不同外，其工作原理都是相同的，下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。
三管是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。
晶体三管具有电流放大作用，其实质是三管能以基电流微小的变化量来控制集电电流较大的变化量。这是三管*基本的和*重要的特性。我们将ΔIc/ΔIb的比值称为晶体三管的电流放大倍数，用符号"β"表示。电流放大倍数对于某一只三管来说是一个定值，但随着三管工作时基电流的变化也会有一定的改变。
三管产品分类：
a.按材质分: 硅管、锗管
b.按结构分: NPN 、 PNP。如图所示。
c.按功能分: 开关管、功率管、达林顿管、光敏管等.
d. 按功率分：小功率管、**率管、大功率管
e.按工作频率分：低频管、高频管、超频管
f.按结构工艺分：合金管、平面管
g.按安装方式:插件三管、贴片三管
三管类型的判别： 三管只有两种类型，即PNP型和NPN型。判别时只要知道基是P型材料还N型材料即可。当用多用电表R×1k挡时，黑表笔代表电源正，如果黑表笔接基时导通，则说明三管的基为P型材料，三管即为NPN型。如果红表笔接基导通，则说明三管基为N型材料，三管即为PNP型。
三管基的判别：根据三管的结构示意图，我们知道三管的基是三管中两个PN结的公共，因此，在判别三管的基时，只要找出两个PN结的公共，即为三管的基。具体方法是将多用电表调至电阻挡的R×1k挡，先用红表笔放在三管的一只脚上，用黑表笔去碰三管的另两只脚，如果两次全通，则红表笔所放的脚就是三管的基。如果一次没找到，则红表笔换到三管的另一个脚，再测两次；如还没找到，则红表笔再换一下，再测两次。如果还没找到，则改用黑表笔放在三管的一个脚上，用红表笔去测两次看是否全通，若一次没成功再换。这样*多量12次，总可以找到基。
三管的管型及管脚的判别是电子技术初学者的一项基本功，为了帮助读者迅速掌握测判方法，笔者总结出四句口诀：“三颠倒，找基；PN结，定管型；顺箭头，偏转大；测不准，动嘴巴。
三管放大原理
1、发射区向基区发射电子
电源Ub经过电阻Rb加在发射结上，发射结正偏，发射区的多数载流子(自由电子）不断地越过发射结进入基区，形成发射电流Ie。同时基区多数载流子也向发射区扩散，但由于多数载流子浓度远低于发射区载流子浓度，可以不考虑这个电流，因此可以认为发射结主要是电子流。
2、基区中电子的扩散与复合
电子进入基区后，先在靠近发射结的附近密集，渐渐形成电子浓度差，在浓度差的作用下，促使电子流在基区中向集电结扩散，被集电结电场拉入集电区形成集电电流Ic。也有很小一部分电子（因为基区很薄）与基区的空穴复合，扩散的电子流与复合电子流之比例决定了三管的放大能力。
3、集电区收集电子
由于集电结外加反向电压很大，这个反向电压产生的电场力将阻止集电区电子向基区扩散，同时将扩散到集电结附近的电子拉入集电区从而形成集电主电流Icn。另外集电区的少数载流子（空穴）也会产生漂移运动，流向基区形成反向饱和电流，用Icbo来表示，其数值很小，但对温度却异常敏感。
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