无锡RLP-50+微波射频 射频放大器
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关 键 词：无锡RLP-50+微波射频
行 业：仪器仪表 集成电路 IC集成电路
发布时间：2019-10-13
CREE的CMPA525025F是一种氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（Hemt），专门为高效率、高增益和宽带宽能力而设计，使CMPA525025F非常适合5.2-5.9GHz雷达放大器应用。晶体管采用陶瓷/金属法兰封装。
TGA4508主要特点
?典型频率范围：30 - 42 GHz
?21 dB标称增益
?2.8 dB标称噪声系数
?14 dBm标称P1dB @ 38 GHz
?偏置3 V，40 mA
?0.15um 3MI pHEMT技术
?芯片尺寸1.7 x 0.8 x 0.1 mm
（0.067 x 0.031 x 0.004）in
主要应用
?点对点无线电
?点对多点无线电
?Ka Band VSAT
Qorvo的TGA2239-CP是一款3级，50W功率放大器，工作频率范围为13.4至15.5GHz。 该高性能放大器采用Qorvo生产的0.15um GaN on SiC技术制造，提供> 30dB的小信号增益和> 31％的PAE，使系统设计人员能够以经济高效的方式实现**的性能水平。
Wolfspeed的cghv35120f是一种氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（Hemt），专门为高效率、高增益和宽带宽能力而设计，使cghv35120f非常适合3.1-3.5GHz雷达放大器应用。特征50欧姆匹配55 W（脉冲宽度=100μs，占空比=10%）典型Pout31分贝典型小信号增益28 V操作晶体管采用陶瓷/金属法兰封装。
Wolfspeed的CGHV96050F1是一种在碳化硅（SiC）基板上的氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）。与其他技术相比，这种氮化镓内部匹配（IM）场效应晶体管具有**的功率附加效率。与硅或砷化镓相比，氮化镓具有更高的击穿电压、更高的饱和电子漂移速度和更高的热导率。与砷化镓晶体管相比，氮化镓HEMTs还提供更大的功率密度和更宽的带宽。该im-fet采用金属/陶瓷法兰封装，以获得*佳的电气和热性能。
射频前端作为手机通信的核心组件，直接影响着手机的信号收发。对早期5G智能手机而言，射频前端是推动5G手机价格上涨的主要原因之一，并且由着5G手机频段的增加，射频前端的复杂度也大大提高。尽管射频前端集成化是大势所趋，但由于低端手机的庞大出货量，低集成度模组之间互相搭配的解决方案在短期内仍然会继续存在。
多天线收发（MIMO）和载波聚合（CA）技术在5G时代继续延续，使得射频前端的复杂度大大上升。通过对三星Galaxy S10+ 5G（Sub 6G）和4G版的拆机对比，射频前端价值从4G版的31美金上升到46美金，价格上升幅度接近50%，射频前端BOM占比从4G版本的7%提高到了9%。对早期5G智能手机而言，射频前端是推动5G手机价格上涨的主要原因之一。
5G射频前端芯片集成度进一步提高，国**频产业快速发展：射频前端从过去的分立器件、FEMiD，再到PAMiD，集成度逐渐提高，主要原因是受到基带芯片发展的推动。目前射频前端市场主要由Skyworks、Broadcom、Qorvo、Murata四大IDM厂商垄断。我们认为，高集成度、一体化是射频前端产品的核心竞争力，拥有全线技术工艺能力的供应商会占据大部分市场。尽管射频前端集成化是大势所趋，但由于低端手机的庞大出货量，低集成度模组之间互相搭配的解决方案在短期内仍然会继续存在。
MIMO技术在5G的延续使得天线数量进一步提升，LDS与FPC仍会是Sub 6G手机的主流天线方案；而在毫米波频段，天线尺寸做到更小，从而直接封装到射频前端芯片当中（Aip）。Aip封装是手机射频领域的一次革新，对传统天线厂商来说可能意味着价值链的重新分配。
2019年国内运营商5G资本投入预算为400亿元，超越年初预计的300亿元。5G投入提速利好整个智能手机产业链。高通、海思和三星的基带芯片均已出货。2019Q3随着各品牌5G手机的上市，市场有望迎来新一轮换机潮。我们预计2020年5G手机出货量有望超过2亿部，其中预计苹果7000万台、华为、三星各5000万台，小米、OV等品牌合计3000万台。
投资建议：5G时代射频前端变革*大，受益首当其冲。从全球范围来看，我们认为4G时代的四巨头Skyworks、Qorvo、Murata和Avago（Broadcom）*先受益，有望继续保持领跑。同时重点关注切入射频前端的基带芯片厂商：高通、海思（未上市）、MTK、紫光展锐（未上市）。国内来看，推荐射频开关、LNA龙头卓胜微，手机天线供应商信维通信、硕贝德、立讯精密；以及滤波器、电感龙头麦捷科技。
风险提示：1）5G大规模商用和消费电子起量不及预期；2）射频前端市场专利和技术壁垒较高，未来在5G射频前端集成度进一步提升的情况下国内厂商面临市场份额丢失的风险。3）中美、日韩贸易摩擦影响消费电子供给；4）宏观经济下行压力短期难以消除，消费电子需求不及预期。
实现行业*高水平的功率、线性度和效率，充分提高 Ka 频段和 X 频段系统的性能
中国 北京，2019年6月20日 —— 移动应用、基础设施与国防应用中核心技术与 RF 解决方案的**供应商 Qorvo?, Inc.（纳斯达克代码：QRVO）今日宣布，发布两款全新的氮化镓（GaN）功率放大器（PA）系列产品--- QPA2212和QPA1022，它们适合国际Ka频段的卫星通信应用与X频段的相控阵雷达应用。这些解决方案提供的功率、线性度和效率可达到行业*高水平，且体积更小，因此这两款器件既能提高系统性能，又能降低成本。
QPA2212适用于Ka频段应用，可使宽带多载波系统的线性度达到行业*高水平。该功率放大器在27-31Ghz频段内提供20瓦RF功率。此外，还有14瓦的 QPA2211D 和7瓦的 QPA2210D 选项。单个 MMIC PA 提供的线性功率越高，越有可能降低成本和提高性能。QPA2212D 现可提供裸片版，封装版将于2019年8月份推出。
QPA1022 适用于X频段相控阵应用，在8.5-11 Ghz范围内可提供出色的功率附加效率---4瓦RF功率条件下高达45%。相较于先前产品，效率提升8%，同时还能提供24 dB大信号增益。这些功能可以充分提高功率和降低热量，增强可靠性并降低拥有成本。对于相同的功率预算，设计人员如今可创建更高密度的阵列，扩大功率的适用范围。QPA1022现面向客户提供封装和裸片两种版本。
Qorvo国防和航空市场战略总监Dean White表示：“这些新放大器将扩大 Qorvo现有的庞大产品组合，为国防应用提供差异化的GaN产品。两款新品的高级功能和先进封装技术充分运用了我们30多年来在这个市场设计和提供RF解决方案的专业经验，同时也为28GHz 5G网络设计商业化提供了可行方案。
Qorvo提供业界*全、*具创意的GaN-on-SiC产品组合，帮助客户显着提升效率和工作带宽Qorvo产品具有高功率密度、小尺寸、增益出色、高可靠性和工艺成熟的特点，早在2000年就开始了批量生产。
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