CGHV96050F1 cree代理 科锐代理
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行 业：仪器仪表 集成电路 IC集成电路
发布时间：2019-09-18
2019年5月15日，美国北卡罗莱纳州达勒姆讯 –– Cree, Inc. (Nasdaq: CREE) 宣布，作为SiC（碳化硅）半导体的全球引领者，成为大众汽车集团（Volkswagen Group）FAST（Future Automotive Supply Tracks，未来汽车供应链）项目SiC（碳化硅）**合作伙伴。FAST的目标旨在推进共同合作，比以往更为快速地实施技术创新，并且更有效率地、更有效果地实现全球汽车项目。
大众汽车集团采购负责人Michael Baecker先生表示：“大众汽车集团计划在未来10年发布近70款新电动车型，而此前只是计划50款。预计在未来10年，基于大众汽车集团电动汽车平台生产的汽车数量将从1500万辆增加至2200万辆。一个有效的（产业生态）网络是我们取得成功的关键。我们的FAST合作伙伴都是我们的战略伙伴，每个合作伙伴都是其各自领域的佼佼者。我们希望一起塑造汽车的未来。”
这项协议将两场同时进行的产业变革联结在了一起：汽车产业正在经历从内燃机向EV电动汽车的转型；而在半导体产业，SiC（碳化硅）的采用正在不断增长。这项协议同时也将推动双方的创新，有助于大众汽车集团更好地服务他们的客户。
SiC（碳化硅）的采用将加速汽车产业向EV电动汽车的转型，帮助实现更高的系统效率，从而为EV电动汽车带来更长的行驶里程、更快的充电，同时降低成本、降低重量和节约空间。
Cree首席执行官Gregg Lowe先生表示：“Cree技术正处于EV电动汽车这场巨大变革的核心。我们全力支持汽车产业朝着更高效率和采用更高性能SiC（碳化硅）基解决方案的转变。我们非常荣幸地与大众汽车集团达成合作。大众汽车集团是全球汽车领域的重要力量，并坚定地致力于EV电动汽车。此次合作将充分发挥SiC（碳化硅）的优势，帮助实现更长的行驶里程、更短的充电时间、更高的效率。我们期望能够助力大众汽车集团，推出满足未来的汽车。”
大众汽车集团和Cree将构建一级（tier one）紧密合作，通过功率模块供应，为未来的大众汽车集团汽车提供SiC（碳化硅）基解决方案。该项合作于2019年5月10日正式缔结和宣布。在不久之前的5月7日，Cree宣布将大幅提高SiC（碳化硅）MOSFET和晶圆的产能，以支持客户发展。
CMPA5585025F MMIC 采用多引脚陶瓷/金属封装 (1”x 0.38”) ，是一款 50 欧姆 (Ω) 、25 瓦特峰值功率的双级 GaN HEMT 高功率放大器 (HPA) 。MMIC 的工作瞬时带宽为 5.8 GHz 至 8.4 GHz，提供 15 瓦特线性功率（<-30 dBc 的相邻频道功率) 与 20 dB 功率增益。在该线性运行功率下，功率附加效率为 25%
CGHV50200F和CGHV96050F1氮化镓高电子迁移率晶体管的特性和优势：
? 氮化镓高迁移率晶体管
? 工作频率分别为4.4-5.0GHz和7.9-8.4GHz
? 典型输出功率分别为200W和50W
? 功率增益系数分别为典型值为11.5dB和*小可达到13dB
? 工作电压40V，源漏电压分别为125V和100V
? 工作温度为-40℃~150℃
? 热阻抗分别为0.81℃/W和2.16℃/W
? 50Ω终端阻抗
CGHV50200F和GHV96050F1氮化镓高电子迁移率晶体管的应用领域：
? 卫星通讯
? 超视距通信
CGHV50200F和CGHV96050F1晶体管均采用50Ω终端电阻。工作温度为-40℃至150℃，存储温度为-65℃至150℃，*大结温为225℃，使得器件可以满足温度苛刻的应用环境中。在85℃的工作环境中，热阻抗仅为0.81℃/W和2.16℃/W，器件在高温环境中具有良好的散热性能。
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