MRF151A 微波射频代理 RF微波器件 真品现货 全国发货
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行 业：仪器仪表 集成电路 IC集成电路
发布时间：2019-09-11
Wolfspeed的cghv1j006d是一种高压氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（Hemt），采用0.25μm的栅极长度制造工艺。这款GaN-on-SiC产品具有**的高频、高效功能。它非常适合在40伏高击穿电压下从10兆赫到18千兆赫的各种应用。
CMPA601C025F Gan Hemt MMIC放大器提供从6到12GHz的瞬时带宽的25瓦功率。氮化镓HEMT MMIC封装在热增强的10铅陶瓷封装中。这提供了一个高功率6至12千兆赫，高效率放大器在一个小封装在50欧姆。
Wolfspeed的cghv35120f是一种氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（Hemt），专门为高效率、高增益和宽带宽能力而设计，使cghv35120f非常适合3.1-3.5GHz雷达放大器应用。特征50欧姆匹配55 W（脉冲宽度=100μs，占空比=10%）典型Pout31分贝典型小信号增益28 V操作晶体管采用陶瓷/金属法兰封装。
Wolfspeed的CG2H30070F是一种氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（Hemt）。它有一个输入匹配，可以在0.5-3.0GHz范围内提供*佳的瞬时宽带性能。与硅或砷化镓相比，氮化镓具有更高的击穿电压、更高的饱和电子漂移速度和更高的热导率。与硅和砷化镓晶体管相比，氮化镓Hemt还提供更大的功率密度和更宽的带宽。该装置采用2铅金属/陶瓷法兰封装，以获得*佳的电气和热性能。
CREE的CMPA525025F是一种氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（Hemt），专门为高效率、高增益和宽带宽能力而设计，使CMPA525025F非常适合5.2-5.9GHz雷达放大器应用。晶体管采用陶瓷/金属法兰封装。
Qorvo的QPA1022是一款基于GaN的SiC宽带功率放大器，工作频率为8.5至11GHz。它提供超过4瓦的饱和输出功率，24.5分贝的功率增益和超过10分贝的回波损耗。该放大器需要22伏电源，与射频输出和直流接地输入端口的集成直流阻断电容器匹配为50欧姆。该放大器采用4 x 4 x 0.85 mm QFN封装，适用于相控阵雷达和电子战应用。它也是支持测试仪器和商业通信系统的理想组件。
Qorvo的TGA2239-CP是一款3级，50W功率放大器，工作频率范围为13.4至15.5GHz。 该高性能放大器采用Qorvo生产的0.15um GaN on SiC技术制造，提供> 30dB的小信号增益和> 31％的PAE，使系统设计人员能够以经济高效的方式实现**的性能水平。
Wolfspeed的CGHV96050F1是一种在碳化硅（SiC）基板上的氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）。与其他技术相比，这种氮化镓内部匹配（IM）场效应晶体管具有**的功率附加效率。与硅或砷化镓相比，氮化镓具有更高的击穿电压、更高的饱和电子漂移速度和更高的热导率。与砷化镓晶体管相比，氮化镓HEMTs还提供更大的功率密度和更宽的带宽。该im-fet采用金属/陶瓷法兰封装，以获得*佳的电气和热性能。
Qorvo的QPA2210D是一个Ka波段功率放大器，工作频率为27至31GHz。它提供7 W的饱和输出功率，功率增加效率为32%。该功率放大器的线性功率为2.5W，具有-25dBc互调失真产品和25dB的小信号增益。它是在Qorvo的0.15um Gan-on-SiC工艺（QGan15）上制造的。本PA是一种尺寸为2.74 x 1.432 x 0.050 mm的模具，非常适合支持卫星通信和5G基础设施。
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