复华蓄电池GFM-1200 2V1200AH 回收再生利用率高
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关 键 词：复华蓄电池GFM-1200,2V1200AH
行 业：能源 电池 充电电池
发布时间：2019-06-09
造成复华蓄电池短路的原因有以下几个方面：
⑴、隔板质量不好或缺损，使极板活性物质穿过，致使正、负极板虚接触或直接接触。
⑵、隔板窜位致使正负极板相连。
⑶、复华蓄电池极板上活性物质膨胀脱落，因脱落的活性物质沉积过多，致使正、负极板下部边缘或侧面边缘与沉积物相互接触而造成正负极板相连。
⑷、导电物体落入电池内造成正负极相连。
⑸、复华蓄电池焊接极群时形成的“铅流”未除尽，或装配时有“铅豆”在正负极板间存在，在充电过程中损坏隔板造成正负极板相连。
它用填满海绵状铅的铅基板栅（又称格子体）作负极，填满二氧化铅的铅基板栅作正极，并用密度1.26--1.33g/mlg/ml的稀硫酸作电解质。电池在放电时，金属铅是负极，发生氧化反应，生成硫酸铅；二氧化铅是正极，发生还原反应，生成硫酸铅。电池在用直流电充电时，两极分别生成单质铅和二氧化铅。移去电源后，它又恢复到放电前的状态，组成化学电池。铅蓄电池能反复充电、放电，它的单体电压是2V，电池是由一个或多个单体构成的电池组，简称蓄电池，最常见的是6V，其它还有2V、4V、8V、24V蓄电池。如汽车上用的蓄电池（俗称电瓶）是6个铅蓄电池串联成12V的电池组。
蓄电池内阻与容量之间的关系其中有两种含义：
电池内阻跟额定容量的关系，以及同一型号电池的内阻跟荷电态SOC的关系。十多年前人们曾经试图利用阀控密封铅酸蓄电池内阻（或电导）的变化去在线检测电池的容量和预测电池寿命，但却未能如愿；人们对动力电池的大电流放电能力提出了越来越高的要求，这就要求尽可能降低电池内阻。因而本文将进一步探索和阐明一些常用蓄电池内阻与容量之间的内在关系。
阀控密封
当前阀控密封铅酸蓄电池已逐步取代开口式流动电解液铅酸蓄电池，广泛用于邮电通信电源、UPS、储能电源系统等。动力型阀控密封铅酸蓄电池已广泛用于电动助力车。这些领域都要求在线检测蓄电池的荷电态。
蓄电池的内阻跟荷电态的关系
蓄电池的荷电态SOC指的是电池可以放出的容量跟其额定容量的比。这一数据对邮电通信电源系统和正在使用的动力电池组十分重要。
概说 平时蓄电池组接在整流设备上进行浮充（Floating Charge），保持在满充状态下，以备不时之需。蓄电池组自被安装妥当，完成初充电（Initial Charge）及放电试验再 充电后，即被加入直流供电系统使用。然而铅酸蓄电池经过一段时间使用以后，常易因活性有效物质的脱落变坏，正极栅格腐蚀以及硫化（Sulfuration） 等原因, 其容量逐渐减低。为了估计市电中断后，蓄电池组尚能供电的时间，就必需定期进行容量（放电）试验。本公司提供的电池组容量监视设备（BCSU）即是在电池放电和充电状态下测量电池电流及端电压变化，自动取得测试数据并及时发出警报的一套设备。
BCSU-50R主要功能：
1、监测主机为监测设备的主体，可同时监测多组蓄电池组。
2、可通过5-10分钟短时间放电预估电池剩余容量并评估电池优劣：便于机房维护人员了解电池情况。
3、具有多种告警功能：能适时发出警报，并停止放电。
4、监测记录电池浮充及充放电情况：利用BCSU-50R，可以省却您测试记录的烦恼，它会自动的将采集到的数据汇成各种测试曲线—特性比较图、总电压曲线、各单体电压曲线、电压条曲线、记忆数据表格等，一目了然，而且自动生成测试报告，可随时打印。
5、可以通过连接BDCT，对整组电池进行长时间放电，测量每个电池实际容量。
6、固定式：操作简单，一台主机监测两组UPS 600V蓄电池。
BCSU-50R主要特点：
1、测量功能：可随时测量及记录总电压、总电流、各单体电池电压等状况（可设定6-30秒测量一次）。
2、具有浮充时期记录功能：可在浮充记录电池状况，并适时做出“均充”建议（须选外部电池侦测器）。
3、异常告警：当蓄电池组电压及温度异常时，将发出告警。
4、主机可作业或多机并联作业。
5、可自动计算剩余容量，以提供目前电池组所剩余的容量。
7、 可列出特性曲线，及特性比较图，并判断蓄电池的优劣。
8、 记录功能：可记录浮充期间及充放电期间的蓄电池组电压、电流等信息。
BCSU-50R硬件及周边设备：
1、导带型电流传导型：本传感器能将通过电池的电流数据传至电池组容量监测器。（本传感器为组装方式）。
2、具有测量单电池电压（0-16V）的回路。
3、具有测量每一蓄电池组总电压及总电流的回路。
4、电脑连线功能：可与电脑连接、采集充放电的参数并进行电池性能评估及分析， 可与动力集中监控联网，具有远端监测功能。
5、具有LCD背光显示，实时显示现场各种电压、电流、温度等信息。
6、智能性数字面板输入，设定查询更加快捷，操作更为方便。
7、信号电缆线为0.3mm PVC导线。
9、保护装置：每一回路均为镀金铜头接触并有过流保护装置。
10、记忆装置：本机内部记忆装置采用FLASH ROM设计，记忆保存能力达10年。
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