12v电源芯片电路图 深圳市骊微电子科技有限公司
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关 键 词：12v电源芯片电路图
行 业：电子 电源/电池 电源适配器
发布时间：2019-04-28
节省10颗阻容件/光耦，24W全集成PSR电源芯片：PN8395H
Chipown集成CCM技术的PSR代表产品。骊微电子代理的PN8395H集成六级能效控制器及690V高雪崩智能功率MOSFET，典型应用于12V2A的PSR Flyback架构的六级能效适配器。
内置高压启动，节省2颗启动电阻；
原边反馈及控制，节省光耦及TL431反馈网络等8颗外围器件；
支持DCM及CCM工作模式，率先突破PSR 24W功率集成的技术挑战。
节省11颗阻容件，专打印度过欠压的AC-DC电源芯片：PN6370P
Chipown集成不重启过欠压技术的代表产品。骊微电子代理的PN6370P集成多模式控制器及800V高雪崩智能功率MOSFET，广泛应用于12W PSR Flyback架构的印度市场专用的充电器、适配器。
内置高压启动，节省2颗启动电阻；
内置市电侦测模块，节省9颗外围器件，实现行业最安全的输入高压保护方式：不锁死，不重启，不掉电。
节省4颗阻容件，零外围同步整流器：PN8306M
Chipown全集成技术的SR代表产品。骊微电子代理的PN8306M集成同步整流控制器及40V智能功率MOSFET，广泛应用于5V2A PSR Flyback架构的六级能效充电器、USB排插电源板。
节省传统方案所需的1颗SW限流电阻和1颗RT调节电阻；
内置MOSFET的 dv/dt变化缓慢，节省2颗RC snubber器件；
节省7颗阻容件，家电ac-dc电源芯片：PN8034
Chipown高低压集成技术的经典代表产品，3Pin开关电源，极简外围。PN8034集成PFM控制器及690V高雪崩智能功率MOSFET，广泛应用于12V300mA Buck/Buck-Boost架构的智能家电内置电源板。
内置高压启动，节省2颗启动电阻；
内置电流采样管，节省2颗电流侦测电阻；
智能PFM控制技术，节省2颗输出电压采样电阻及1颗环路补偿电容。
节省6颗阻容件，24W无散热片六级能效ac-dc电源芯片：PN8160T
Chipown高低压集成技术的SSR代表产品。骊微电子代理的PN8160T集成六级能效控制器及690V高雪崩智能功率MOSFET，广泛应用于12V2A SSR Flyback架构的六级能效适配器。
内置高压启动，节省2颗启动电阻；
内置电流采样管，节省4颗CS侦测器件，并以Trim技术实现3%OCP精度；
叠层封装技术提高功率密度，24W应用无需散热片。
骊微电子代理的电源管理芯片的相关优势：
1、电子设备所具备的功能越多、性能越高，其结构、技术、系统就越复杂，传统的模拟技术电源管理IC满足系统整体电源管理要求的难度也就越大，价格也更加昂贵；
2、数字控制器的核心主要由三个特殊模块组成:抗混叠(anti-aliasing)滤波器、模数转换器(ADC)和数字脉冲宽度调制器(DPWM)。为了达到与模拟控制架构同等的性能指标，必须具备高分辨率、高速和线性ADC以及高分辨率、高速PWM电路设计；
3、ADC分辨率必须能够满足误差小于输出电压允许变化的范围，所需的输出电压纹波越小，则对ADC的分辨率要求越高。同时，由于抗混叠滤波器以及流水线式或SAR模数转换器会引入环路延时，所以我们迫切需要高采样速率的模数转换器；
4、模拟控制器对所产生的可能脉冲宽度存在固有的限制，而DPWM可以产生离散和有限的PWM宽度集。从稳定状态下的输出角度看，只可能有一组离散的输出电压。由于DPWM是反馈环路中的一部分，因此DPWM的分辨率必须足够高才能使输出不显示众所周知的极限周值。不显示任何极限周值所需的最少位数取决于拓扑、输出电压和ADC分辨率。同时，系统的环路稳定性由PI或者PID控制器来调整。
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