12v开关电源ic管理系统 骊微电子芯朋微代理
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行 业：电子 电源/电池 电源适配器
发布时间：2019-04-19
骊微电子代理的PN8235为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC）小于50mW。在恒压模式，采用多模式技术提高效率并消除音频噪声，使得系统满足6级能效标准。
骊微电子代理的AP8266是一款高集成度的电流模式PWM控制芯片，具有高性能、低待机功耗、低成本等特点。AP8266内置绿色降频工作模式，根据负载情况调节工作频率，减少了开关损耗，从而获得较低的待机功耗和较高的转换效率。
骊微电子代理的PN8235集成超低待机功耗原边控制器及800V智能高压启动模块，外驱功率DMOS，外部Rg可调。PN8235用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。
PN8307H包括同步整流控制器及高雪崩能力功率MOSFET，用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8307H内置电压降极低的功率MOSFET以提高电流输出能力，提升转换效率，使得系统效率可以满足6级能效的标准，并留有足够的裕量。
骊微电子主要从事家电电源，充电器，电源适配器，LED电源等电源产品芯片IC设计，测试，销售，产品主要覆盖5-100W以内各类电源产品，为客户提供高效能、低功耗、品质稳定的集成电路产品，同时提供一站式的应用解决方案和现场技术支持服务，使客户的系统性能优异、灵活可靠，并具有成本竞争力。
PN8046集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源。PN8046内置650V高压启动模块，实现系统快速启动、超低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护，例外PN8046的降频调制技术有助于改善EMI特性。
骊微电子代理的PM8034M集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件极精简的小功率非隔离开关电源， 输出电压可通过FB 电阻调整。PN8034M 内置650V高压启动模块，实现系统快速启动、超低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过流保护，欠压保护，过温保护。
骊微电子代理PN8326包括高精度的恒流原边控制器及功率MOSFET，专用于高可靠、隔离双绕组、极精简外围元器件的中小功率LED照明。该芯片工作在原边调整模式，可省略光耦、TL431；采用了快速DMOS自供电的专利技术可节省变压器辅助绕组和高压启动电阻。
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