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关 键 词:BLM2301,P沟道MOS,使用先进的沟槽技术提供优良的RDS(ON),低栅极电荷和栅极操作电压低至2.5V。该设备适合用作负载开关或PWM应用。
行 业:电子 电源/电池 锂电池
发布时间:2019-03-06
一般特征 ●VDS=-20V,ID=-3A RDS(ON)<140mΩ@VGS=-2.5V RDS(ON)<110mΩ@VGS=-4.5V ●高功率和电流处理能力 ●PWM应用 负载开关 ●电源管理