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广州半导体器件有限公司发展历程 1965年开始试制锗半导体二极管、三极管。 1966年公司正式名称为广州无线电元件一厂。 1967年根据国家第四机械工业部规划,建立锗晶体管半自动生产线,投产3AG系列锗高频小功率晶体管,以后相继生产2AP系列锗检波二极管、3AX系列锗低频小功率晶体管。 1970年开始投产3CT系列硅可控器件、3DG系列硅小功率晶体管和2CZ系列硅整流二极管。 1974年公司更名为广州半导体器件厂。 1975年开始生产TTL集成电路和P-MOS集成电路。 1982年引进TO-92封装硅小功率晶体管封装生产线。 1984年引进TO-220封装硅大功率晶体管封装生产线。 1985年引进DO-41和DO-27封装硅二极管封装生产线。 1988年公司6个系列63个型号的器件产品获得机械电子工业部颁发的生产许可证,同年1N4003二极管荣获全国集中测试成绩优秀奖。 1996年公司晶体管年产量超过1.2亿只。 1997年12月公司通过ISO9002-1994国际质量体系认证。 2003年11月公司通过IS09001:2000国际质量体系认证。同年,晶体管年产量突破10亿只。 2005年4月经广州市工商行政管理局核准,公司正式更名为广州半导体器件有限公司。同年,晶体管年产量超21亿只。 VRRM : 600V ; IT(RMS) : 0.8A ; VDRM : 600V ; 封装材料 : 塑料封装 ; 极数 : 三极 ; 控制方式 : 双向 ; 型号 : 97A8 ; 品牌 : 广半器件(GSD) ;