供应NANO130SE3BN

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产品规格：NUVOTON

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包装说明：LQFP64

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发布时间：2014-01-07

Nano130  Advance  line是超低功耗的32-位内嵌  ARM  ?  Cortex?-M0  核的微控制器。它能工作在1.8V  到  3.6V的宽电压范围，最高可运行到42MHz，内建32K/64K-字节的flash  以及8K/16K/128K  -字节的SRAM。它集成了LCD  4x40或6x38  (COM/Segment)，USB  2.0  全速设备功能，RTC，12-通道12-位  SAR  ADC，2-通道12-位  DAC，电容式触摸-按键，提供高性能的外围接口连接，诸如2xUART,  2xSPI,  2xI2C, I2S,  GPIOs，用于外部内存映射设备访问的EBI (External Bus Interface)，2xISO-7816-3 用于智能卡。支持欠压检测，保留  RAM 的掉电模式以及通过多个外围接口快速唤醒的功能。

Nano130 特性 – Advanced Line
?  Core
?  ARM? Cortex?-M0 内核最高运行到32 MHz
?  一个 24-位系统定时器
?  支持低功耗睡眠模式
?  单周期 32-位硬件乘法器
?  嵌套向量中断控制器  (NVIC)  用于控制32个中断源，每个中断源可设置为4个优先
级
?  支持串行线调试 (SWD) 带2个观察点/4个断点
?  欠压检测
?  内建2.5V/2.0V/1.7V BOD 用于宽泛的工作电压范围操作
?  Flash EPROM 存储器
?  高达 42MHz 时的不连续地址读访问零等待状态
?  64K/32K/123K-字节应用程序存储器 (APROM)
?  4KB 在系统编程 (ISP) 加载程序存储器 (LDROM)
?  可编程数据 flash 起始地址和存储器大小以512字节为页擦除单元
?  在系统编程 (ISP)/在应用编程 (IAP) 更新芯片的Flash EPROM
?  SRAM 存储器
?  16K/8K-字节内建 SRAM
?  支持 DMA 模式
?  DMA : 支持 8 通道: 1个 VDMA 通道,6  PDMA 通道, 和 1个 CRC 通道
?  VDMA
?  内存-到-内存传输
?  支持跨距的块传输
?  支持 字/半字/字节边界地址
?  支持地址方向：增长和减少
?  PDMA
?  外设-到-内存，内存-到-外设，内存-到-内存 传输
?  支持字边界地址
?  在内存-到-内存模式，支持字对齐传输长度
?  在外设-到-内存，内存-到-外设传输模式，支持 字/半字/字节 对齐传输长度
?  外设作为源或目标时，支持字/半字/字节 传输数据宽度
?  支持地址方向：增长，固定和回绕