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主要电气参数 封装尺寸规格：单位： 英寸(毫米) IF(AV) 1.0 A VRRM 20 - 150V IFSM 30 A Tj max 150℃ 特性： ?金属-硅势垒整流芯片 ?反向电流恢复时间接近于零 ?低正向压降 ?低反向漏电 ?高正向浪涌能力 ?高耐焊接温度 ?适用于低压高频转换电路和反向钳位 保护电路 ?符合 EU RoHS 2002/95/1 指令要求 外观参数： ?封装：SOD-123 封装外形标准,金属-硅势垒 芯片结合外部塑封 ?引脚：表面镀锡，可焊性参照 J-STD-002B 和 JESD22-B102D ?极性标志：激光打印，阴极指示 电气符号： 阳极 阴极 K12-K150 额定值&电特性 ： 如无特殊说明，参考温度均为 Tc = 25℃ K12 K13 K14 K15 K16 K18 K19 K110 K150 电气参数 符号 单位 反向重复峰值电压 VRRM 20 30 40 50 60 80 90 100 150 Volts 反向工作峰值电压 VRMS 14 21 28 35 42 56 63 70 105 Volts 反向直流峰值电压 VDC 20 30 40 50 60 80 90 100 150 Volts 平均正向电流 @ Ta＝75℃ IF 1.0 Amps 正向（不重复）浪涌电流 8.3 ms 正弦半波连续工作，额定 IFSM 30.0 负载（JEDEC 标准） Amps 最高正向电压@3.0A 直流电流 VF 0.55 0.7 0.85 0.95 Volts 最高直流反向漏电流@ 25℃ 0.4 0.1 mAmps IR 直流最高反向截止电压 125℃ 10 5 mAmps 结电容测试条件 CJ 200 p F 反向电压：4.0 V； 频率：1MHz 热阻系数 RθJL 15 ℃/W RθJA 55 ℃/W 工作结温和储存温度范围 TJ,TSTG -55 to 150 ℃ 注：1．在 0.4" X 0.4"(10mm X 10mm)铜质焊盘的 PCB 上进行测量 K12-K150
