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发布时间：2016-08-27
Ｃ杂质分布正好与氧浓度分布相反，Ｃ的分凝系数小于１，生长快的区域的杂质会扩散到生长慢的区域，所以在无刻槽处和靠近坩埚壁处杂质浓度较低。但是从整个界面推移的角度，由于分凝系数远远小于１，界面平均生长速率越高，杂质进入晶体的浓度越高。如图８所示，晶体生长的平均速率越高，晶体中的杂质越多。对比无刻槽和刻槽深度为２ｍｍ，刻槽深度为８ｍｍ和刻槽１０ｍｍ两组数据，发现刻槽越深，杂质浓度越高。这是由于刻槽越深界面的凹凸率越大，从而导致杂质在界面难于被熔体带离。图８中Ｃ浓度从坩埚中心到坩埚侧壁先增加后减少，这主要是由于生长界面在中心为凸界面慢慢过渡到坩埚侧凹界面。缠绕式垫片是由预成型的V型（或W型）金属带与非金属带通过紧密缠绕而成，根据法兰面型式不同还可带有内环，外定位环或带内外环的结构。缠绕式垫片具有较好的压缩回弹特性和良好的密封性，能适应高温高压参数的要求，在温度和压力变化的场合仍能保持较好的密封性。换热器用缠绕式垫片是由预成型的V型（或W型）金属带与非金属带通过紧密缠绕而成。根据换热器的管程数不同在钢丝内环上焊制不同形状的隔条。隔条由金属板复合柔性石墨制成。它与管法兰用缠绕式垫片同样具有较好的压缩回弹特性和良好的密封性，能适应高温高压参数的要求，在温度和压力变化的场合仍能保持较好的密封性。金属缠绕垫片厂家-新雅密封件-金属缠绕垫片供应商由南通市新雅密封件有限公司( )提供。
