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关 键 词：IGBT吸收电容
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发布时间：2007-12-05
特点：稳定性高；自愈性好；频率特性好；损耗小、电感小；过电流能力强 性能指标： 电容量：0.01～4.7μF；额定电压：600V.DC～3000V.DC； 耐电压：1.75Un/60S；耐冲击电流能力：dv/dt>500V/μS； 绝缘电阻：≧15000MΩ(at20℃100V.DC)；
