

价格:面议
0
联系人:
电话:
地址:
一、 适用范围:
本技术规格书仅适用于 8串锂电电 池保护板
二、 保护板电性能参数:(参照相应元器件技术规格书,在常温25℃下测试,相对湿度≤90%) IC:S8261G2N MOS:IRF3205
检测项目 Min Typ Max Unit
过充保护电压(单节) 4.25 4.275 4.3 V
过充释放电压 4.15 4.175 4.2 V
过充保护延迟时间 960 1200 1400 ms
过放保护电压(单节) 2.25 2.3 2.35 V
过放释放电压 2.35 2.4 2.45 V
过放保护延迟时间 115 144 173 ms
过流保护 20 32 50 A
过流保护延迟时间 7 9 12 ms
静态电流 15 35 uA
保护板内阻 15 20 mΩ
短路保护延迟时间 220 320 380 us
最大工作温度范围 -40 85 ℃
三、 贴片图:
四、 PCB LAYOUT图:
TOPLAYER
BOTTOMLAYER
SIZE
板厚:1. 2mm