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理论上LED的发光效能可以高达200lm/W以上,而现有的白光LED则只有70lm/W左右,与节能型荧光灯相比还有一定差距;而且其价格与传统光源相比也有很大的劣势。因此如何尽快把LED的优势真正发挥出来也就成为现在相关从业人员所必须要面对的技术难题。而要真正开拓出一个全新的半导体照明时代,我们还要从以下几个方面努力攻克技术难题以及进一步规范半导体照明市场3.1、LED芯片芯片是LED的核心,它的内部量子效率的高低直接影响到LED的发光效能,非辐射复合率则决定着芯片产热的大小。可以说只有制造出具有良好质量的LED芯片,才可能有性能优越的LED光源。为了能够尽量提高内部量子效率以及减少无辐射复合率,主要从两个方面来改芯片质量,也就是选择合理的芯片结构和控制芯片的缺陷密度。LED芯片的结构有单异质结构、双异质结构以及量子阱结构等,它对发光效率具有很大的影响。目前使用最为广泛且最有效率的芯片结构为多量子阱结构(Multi-Quantum Well Structure)。对于LED而言,外延片与衬底的晶格常数以及热涨系数是否匹配、外延片制备工艺等都会直接影响晶格的缺陷密度。这些缺陷可能在某些条件下,特别是对于Ⅲ-氮的发光可能有利,但是就大部分情况而言,因为这些缺陷的存在,会缩短芯片的连续工作寿命,减少载流子密度进而降低发光输出,以及可能成为无辐射复合中心。