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小型单管LPCVD 低压化学气相沉积设备在低压高温的条件下，通过化学反应气相沉积的方法在衬底上沉积各种功能薄膜（主要是Si3N4、SiO2及Poly硅薄膜）。可用于科学研究、实践教学、小型器件制造。 主要特点 小型化，方便实验室操作和使用，大幅降低实验成本。 设备为水平卧式结构。 反应室由高纯石英制成，耐腐蚀、抗污染、漏率小、适合于高温使用。 设备电控部分采用了先进的检测和控制系统，量值准确，性能稳定、可靠。 系统提供自动控制无扬尘装置。 技术参数 产品型号：HITSemi-LPCVD-150 基片类型：不规则形状的散片、φ2～φ4英寸标准基片 基片装载数量：标准基片：1片～2片；不规则尺寸散片：若干 基片放置方式：配置三种基片托架：竖直、水平卧式、带倾角 真空系统：机械泵、干泵（可选配） 炉管：石英管ø150mm，长度1200mm 恒温区长度：300mm 最高温度：1100℃ 升温速率：0～50℃/min 恒温区控温精度：≤±1℃ 工作压强范围：13Pa～1330Pa 压力控制：闭环充气式控制 膜层均匀性：优于±5％ 装片方式：手动进出样品 工艺气体：SiH4 、NH3、N2O、N2 恒温制冷水箱：可选配 空气压缩机：可选配 注：不含尾气处理系统 设备工作条件 供电：三相五线制，AC 380V，50Hz；接地电阻≤1Ω 功率：根据设备规模配置，峰值功率（20KW~30KW） 冷却水：≤100L/min 水压：0.1Mpa~0.15MPa 水温：18℃～25℃ 气动部件供气压力：0.5MPa～0.7MPa 质量流量控制器供气压力：0.05MPa～0.2MPa 工作环境温度：10℃～40℃ 工作环境湿度：≤50% 关于我们 鹏城半导体技术（深圳）有限公司，由哈尔滨工业大学（深圳）与有多年实践经验的工程师团队共同发起创建。公司立足于技术前沿、市场前沿和产业前沿的交叉点，寻求创新yin*ling与可持续发展，解决产业的痛点和国产化难题，争取产业链的自主可控。 鹏城微纳技术（沈阳）有限公司是鹏城半导体技术（深圳）有限公司全资子公司，是半导体和泛半导体工艺和装备的设计中心和生产制造基地。 公司核心业务是微纳技术与gao*duan精密制造，具体应用领域包括半导体和泛半导体材料、工艺、装备的研发设计、生产制造、工艺技术服务及装备的升级改造，可为用户提供工艺研发和打样，可为生产企业提供生产型设备，可为科学研究提供科研设备。 公司人才团队知识结构完整，有工程师哈工大教授和博士，为核心的高水平材料研究和工艺研究团队，还有来自工业界的高级装备设计师团队，他们具有30多年的半导体材料研究、外延技术研究和半导体薄膜制备成套装备设计、生产制造的经验。 公司依托于哈尔滨工业大学（深圳），具备先进的半导体研发设备平台和检测设备平台，可以在高起点开展科研工作。公司总部位于深圳市，具备半导体和泛半导体装备的研发、生产、调试以及器件的中试、生产、销售的能力。 公司团队技术储备及创新能力 1998~2002 -设计了中试型的全自动化监控的MOCVD，用于外延硅基GaN -设计制造了聚氨酯薄膜的卷绕式镀膜机 2005 -设计制造了中国di*yi台完全自主知识产权的MBE(分子束外延设备)，用于外延光电半导体材料 2007 -设计超高温CVD 和MBE，用于4H晶型SiC外延生长 -设计制造了光学级金刚石生长设备（采用热激发技术和CVD技术） 2015 -设计制造了金刚石涂层制备设备，制备了金刚石电极、微米晶和纳米晶金刚石薄膜、导电金刚石薄膜 2017 -优化Rheed设计，开始生产型MBE设计 -开始研发PSD方法外延GaN的工艺和装备 2019 -设计制造了大型热丝CVD金刚石薄膜的生产设备 2021 -鹏城半导体技术（深圳）有限公司成立 2022 -子公司鹏城微纳成立； -热丝CVD设备、高真空磁控溅射仪、电子束蒸镀机、分子束外延与磁控溅射联用设备多套出货 -获得ISO9001质量管理体系证书 2023 -PSD方法外延GaN装备与工艺的技术攻关； -科技型中小企业-入库编号202344030500018573； -创新型中小企业； -获50+项知识产权专利； -企业信用评价AAA级信用企业；/ISO三体系认证； -子公司晶源半导体成立 2024~2026 -与jun*gong和shang*shi*tou*bu*qi*ye*客户合作取得突破（X *guang*gan*板及光电器件的薄膜生长） -鹏城微纳技术（沈阳）有限公司子公司扩产 -TGV/TSV/TMV -wei*guang*tan*测、yi*liao*ying*xiang、fu*he*ying*zhi*tu*层 -gao*xin*ji*shu企业 one*three*sex*three*two*seven*five*0*0*one*seven
