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LPCVD设备配置一套独立工艺炉管，工艺气体分别配置SiH4/NH3/N2O/N2/Ar，通过真空泵获得低压来实现氮化硅、氧化硅、多晶硅膜层的沉积。 设备主要应用于科研院校、高校、工矿企业等实验和小批量生产。 主要特点 炉膛具有良好的温度均匀性、保证工艺温区。 控温精度高、保温效果好、温度范围大。 工艺气路采用VCR连接，密封性好。 具有正负压显示，炉膛超压保护、超温保护，水流水压水温保护，断偶保护。 技术参数 产品型号：HITSemi-LPCVD-200 最高温度：1150°C 工作温度：≤1100°C 管数：1~2管（可定制） 炉管：进口石英；φ100mm~φ200mm，长度：1200mm（可定制） 恒温区长度：400mm 控温段数：3段；可以三段单独控制 升温速率：1°C/min~10°C/min可调 恒温区控温精度：±1°C 测温精度：±1%FS 温控保护：具有过温保护，断偶保护，漏电保护（加漏电保护器）等功能 工件压强范围：13Pa~1330Pa 膜层不均匀性：优于≤±5% 控温模式：控温模式：采用30段程序控温智能PID调节，微电脑控制，可编程式控温曲线，无需看守（全自动升、降、保温） 工艺气体：SiH4 、NH3 、N2O、N2 控制形式：半自动/全自动 控制系统：PLC+触摸屏 恒温制冷水箱：可选配 空气压缩机：可选配 注：不含尾气处理系统 设备工作条件 供电：三相五线制，AC 380V，50Hz 功率：约20KW 冷却水：≤150L/min 气动部件供气压力：0.5MPa～0.7MPa 质量流量控制器供气压力：0.05MPa～0.2MPa 工作环境温度：10℃～40℃ 工作环境湿度：≤50% 关于我们 鹏城半导体技术（深圳）有限公司，由哈尔滨工业大学（深圳）与有多年实践经验的工程师团队共同发起创建。公司立足于技术前沿、市场前沿和产业前沿的交叉点，寻求创新yin*ling与可持续发展，解决产业的痛点和国产化难题，争取产业链的自主可控。 鹏城微纳技术（沈阳）有限公司是鹏城半导体技术（深圳）有限公司全资子公司，是半导体和泛半导体工艺和装备的设计中心和生产制造基地。 公司核心业务是微纳技术与gao*duan精密制造，具体应用领域包括半导体和泛半导体材料、工艺、装备的研发设计、生产制造、工艺技术服务及装备的升级改造，可为用户提供工艺研发和打样，可为生产企业提供生产型设备，可为科学研究提供科研设备。 公司人才团队知识结构完整，有工程师哈工大教授和博士，为核心的高水平材料研究和工艺研究团队，还有来自工业界的高级装备设计师团队，他们具有30多年的半导体材料研究、外延技术研究和半导体薄膜制备成套装备设计、生产制造的经验。 公司依托于哈尔滨工业大学（深圳），具备先进的半导体研发设备平台和检测设备平台，可以在高起点开展科研工作。公司总部位于深圳市，具备半导体和泛半导体装备的研发、生产、调试以及器件的中试、生产、销售的能力。 公司团队技术储备及创新能力 1998~2002 -设计了中试型的全自动化监控的MOCVD，用于外延硅基GaN -设计制造了聚氨酯薄膜的卷绕式镀膜机 2005 -设计制造了中国di*yi台完全自主知识产权的MBE(分子束外延设备)，用于外延光电半导体材料 2007 -设计超高温CVD 和MBE，用于4H晶型SiC外延生长 -设计制造了光学级金刚石生长设备（采用热激发技术和CVD技术） 2015 -设计制造了金刚石涂层制备设备，制备了金刚石电极、微米晶和纳米晶金刚石薄膜、导电金刚石薄膜 2017 -优化Rheed设计，开始生产型MBE设计 -开始研发PSD方法外延GaN的工艺和装备 2019 -设计制造了大型热丝CVD金刚石薄膜的生产设备 2021 -鹏城半导体技术（深圳）有限公司成立 2022 -子公司鹏城微纳成立； -热丝CVD设备、高真空磁控溅射仪、电子束蒸镀机、分子束外延与磁控溅射联用设备多套出货 -获得ISO9001质量管理体系证书 2023 -PSD方法外延GaN装备与工艺的技术攻关； -科技型中小企业-入库编号202344030500018573； -创新型中小企业； -获50+项知识产权专利； -企业信用评价AAA级信用企业；/ISO三体系认证； -子公司晶源半导体成立 2024~2026 -与jun*gong和shang*shi*tou*bu*qi*ye*客户合作取得突破（X *guang*gan*板及光电器件的薄膜生长） -鹏城微纳技术（沈阳）有限公司子公司扩产 -TGV/TSV/TMV -wei*guang*tan*测、yi*liao*ying*xiang、fu*he*ying*zhi*tu*层 -gao*xin*ji*shu企业 one*three*sex*three*two*seven*five*0*0*one*seven
