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FF75R12RT4模块具有以下主要特点:额定电压:1200V额定电流:75A大导通电压降:1.8V大漏电流:75A封装类型:模块封装该模块采用了英飞凌的技术和设计,具有率、高可靠性和低功耗的特点。它经过严格的测试和验证,以确保其性能和质量符合行业标准和客户需求。BSM200GB120DN2模块具有以下主要特点:额定电压:1200V额定电流:200A大导通电压降:1.8V大漏电流:200A封装类型:模块封装该模块采用了英飞凌的技术和设计,具有率、高可靠性和低功耗的特点。它经过严格的测试和验证,以确保其性能和质量符合行业标准和客户需求。FF75R12RT4模块具有以下主要特点:额定电压:1200V额定电流:75A大导通电压降:1.8V大漏电流:75A封装类型:模块封装该模块采用了英飞凌的技术和设计,具有率、高可靠性和低功耗的特点。它经过严格的测试和验证,以确保其性能和质量符合行业标准和客户需求。复制FF100R12YT3重试复制FF100R12YT3是英飞凌(Infineon)生产的一款IGBT模块。它是一种高压、高电流的功率半导体器件,常用于工业驱动、电动汽车、可再生能源等领域。复制BSM200GB120DN2重试复制BSM200GB120DN2是英飞凌(Infineon)生产的一款IGBT模块。它是一种高压、高电流的功率半导体器件,常用于工业驱动、电动汽车、可再生能源等领域。