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晶闸管的过电压保护 ：1、过电压：当加在晶闸管上的电压超过额定电压时称为过电压。 2、原因：电源变压器的一次侧断开或接通、直流侧感性负载的 切断、快速熔断器的熔断、突然跳闸等。 3、措施：①阻容保护 ：吸收回路作用：一旦电路中发生过电压，电容器被迅速充 电，电容两端的电压不能突变，这就有效地抑制了过电压。阻容吸收回路可以并联在交流侧、直流侧或晶闸管侧；②非线性电阻保护：目前常用的非线性电阻是金属 氧化物压敏电阻，它具有正反向相 同的很陡的电压—电流特性；电路正常工作时，压敏电阻不 击穿，通过的漏电流很小。压敏电 阻在遇到过电压时可通过高达数千 安的放电电流，之后又恢复正常， 因此它抑制过电压的能力很强；由于压敏电阻正反向特性对称，单相电路中只用一只压敏电 阻，三相电路中用三只压敏电阻。晶闸管的主要参数(1)断态重复峰值电压UDRM门极开路,重复率为每秒50次,每次持续时间不大于10ms的断态脉冲电压,UDRM=90%UDSM,UDSM为断态不重复峰值电压。UDSM应比UBO小,所留的裕量由生产厂家决定。(2)反向重复峰值电压URRM其定义同UDRM相似,URRM=90%URSM,URSM为反向不重复峰值电压。(3)额定电压选UDRM和URRM中较小的值作为额定电压,选用时额定电压应为正常工作峰值电压的2～3倍,应能承受经常出现的过电压。晶闸管(SCR)晶体闸流管简称晶闸管,也称为可控硅整流元件(SCR),是由三个PN结构成的一种大功率半导体器件。在性能上,晶闸管不仅具有单向导电性,而且还具有比硅整流元件更为可贵的可控性,它只有导通和关断两种状态。晶闸管的优点很多,例如:以小功率控制大功率,功率放大倍数高达几十万倍;反应极快,在微秒级内开通、关断;无触点运行,无火花、无噪声;效率高,*等。因此,特别是在大功率UPS供电系统中,晶闸管在整流电路、静态旁路开关、无触点输出开关等电路中得到广泛的应用。晶闸管的弱点:静态及动态的过载能力较差,容易受干扰而误导通。晶闸管从外形类主要有:螺栓形、平板形和平底形。IGBT、二极管、整流桥、IPM、电容可控硅-快速系列，交期快，货源稳，品质保证 注：1、一些商品价格标价为 1.00元并非真实价格，若要相关真实价格可联系QQ或者来电咨询！ 2、本店可累积消费，当您在3个月内购买一种产品达到一定的量，多出来的差价我们会给您按数量来判断补差价给予买方。（差价仅在期限里有效哦，用的好别忘了来多买，莫错失哦！）3 、赛米控（西门康）SEMIKRON 英飞凌 （Infineon）可控硅 IGBT 系列产品，本公司可直接向德国订货，货源稳 交期快 量大更优惠！保证每颗型号都为原装新件。欢迎新老客户咨询！ 所报价格均含税含运费价格！如果不明白欢迎来电咨询，谢谢！原装、长期、三包承若期待与贵公司的合作！ 愿我公司能给贵公司带来更多的帮助!晶闸管损坏原因判断当晶闸管损坏后需要检查分析其原因时，可把管芯从冷却套中取出，打开芯盒再取出芯片，观察其损坏后的痕迹，以判断是何原因。下面介绍几种常见现象分析。1、电压击穿。晶闸管因不能承受电压而损坏，其芯片中有一个光洁的小孔，有时需用扩大镜才能看见。其原因可能是管子本身耐压下降或被电路断开时产生的高电压击穿。2、电流损坏。电流损坏的痕迹特征是芯片被烧成一个凹坑，且粗糙，其位置在远离控制极上。3、电流上升率损坏。其痕迹与电流损坏相同，而其位置在控制极附近或就在控制极上。4、 边缘损坏。他发生在芯片外圆倒角处，有细小光洁小孔。用放大镜可看到倒角面上有细细金属物划痕。这是制造厂家安装不慎所造成的。它导致电压击穿。
