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DBC阶段测试。将IGBT芯片从wafer上取下来，焊在DBC上，再进行一次绑线，将芯片的G、C、E极与DBC上预留的绑线位通过金属线连接起来，此时的IGBT状态，我们可称之为DBC阶段。如果在DBC阶段就对IGBT进行测试筛选，将性能不良的芯片筛选出来，那么封装成IGBT模块以后，模块的不良率会较大程度上降低。而DBC阶段的IGBT成本较大程度上低于IGBT模块，比如一个450A的62mm模块，内部分为上下两个桥臂，有2个IGBT单元，每个IGBT又是由2个IGBT芯片并联而成（通过DBC的形式并联，每颗芯片焊在一块DBC上），那么一个模块里面就相当于有4块DBC。通过非通即断的半导体特性，不考虑过渡过程和寄生效应，我们将单个IGBT芯片看做一个理想的开关。广东静态测试超声波键合机
wafer阶段测试。目前wafer阶段测试，大部分晶圆厂或封装厂采用的都是静态测试。但是静态测试的条件比较有限，IGBT只能在低电压大电流或者高电压小电流的条件下工作，对芯片的筛选能力有限。而动态测试条件下，IGBT要在高电压和大电流下开通和关断，对其性能要求更加严苛，筛选标准更严格，若再配合高温短路测试，则筛选能力大幅提高。但是针对wafer的动态测试技术难度很高，实现起来非常困难，且测试设备极其昂贵，也不容易买到。所以wafer阶段的动态参数测试，现阶段不容易实现。广东高精度真空炉随着IGBT模块的自主可控、国产化进程加速，国产测试系统产品需求也逐渐迫切。
什么是IGBT，功率半导体是半导体行业的细分领域，虽不像集成电路一样被大众熟知，但其重要性不可忽视。IGBT是功率半导体的一种，它是电子电力装置和系统中的“CPU”、高效节能减排的主力军。IGBT模块是由IGBT（绝缘栅双极型晶体管芯片）与FWD（二极管芯片）通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品，封装后的IGBT模块直接应用于EV、HEV、变频器、工业电机驱动、风力涡轮机、光伏装置、轨道交通、UPS、EV充电基础设施和家用电器等产品。IGBT模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点，当前市场上销售的多为此类模块化产品，一般所说的IGBT也指IGBT模块。
随着国产IGBT芯片的兴起，越来越多的国产自主IGBT芯片被引入到封装厂，封装成模块并应用到各行各业。目前大部分国产IGBT芯片还未经过大量的市场和时间的考验，在良率和稳定性上会比进口品牌差一些，如果芯片封装成模块之后再去测试动态参数，那么模块测试失效的话，损失会比较大，尤其是电动汽车用的IGBT模块，价格比较昂贵，一般内部为6个单元，如果一个单元失效，那么整个模块报废，封装厂损失较大。那么有没有一种办法，能够将性能有缺陷的IGBT芯片在封装成模块之前提前筛选出来，防止芯片封装到模块之后，失效而导致整个模块报废呢？IGBT发展至今这么长的时间，从传统的电力电子领域拓展到汽车电子领域，IGBT设备的性能也在不断提升。
IGBT模块究竟如何工作？在电控模块中，IGBT模块是逆变器的较主要部件，总结其工作原理：通过非通即断的半导体特性，不考虑过渡过程和寄生效应，我们将单个IGBT芯片看做一个理想的开关。我们在模块内部搭建起若干个IGBT芯片单元的并串联结构，当直流电通过模块时，通过不同开关组合的快速开断，来改变电流的流出方向和频率，从而输出得到我们想要的交流电。IGBT模块结构和汽车IGBT模块应用。上面提到了IGBT模块在电驱系统中的作用，下面我们展开来具体看看IGBT模块的结构。IGBT的损耗一般比MOSFET要低，可以达到1W-15MW之间。广东高精度真空炉
在EV、HEV等产业普及的大力推动下，国内IGBT市场需求快速持续增长。广东静态测试超声波键合机
出现这一问题时，焊接效果应符合以下标准：1: 安装模具，测试模具的频率是否正确。2：根据声波检测，测试模具声波是否正常。3：调整水平面。4：安装底部模具，纠正产品的具体的位置。5：然后焊接。根据上述步骤，当焊接仍然良好时，不会出现操作。如何更换超声波焊机模具焊接不良，如果以后焊接有任何问题，请直接与我们联系，我们将努力为您解决问题。焊机更换焊头调整步骤：1.拆除线束机的上板和前板；2.松开左侧模块的固定螺钉，将左侧模块抬起一点。易于拆除振动系统；3.松开压力块，取出振动系统；4.更换焊头并将其放回原位；5.焊接接头的校准；6.重新安装压力块，拧紧振动系统。广东静态测试超声波键合机
