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EDI超纯水设备的基本工作原理。EDI是一种将离子交换技术、离子交换膜技术和离子电迁移技术（电渗析技术）相结合的纯水制造技术。该技术利用离子交换能深度脱盐来克服电渗析极化而脱盐不彻底，又利用电渗析极化而发生水电离产生H+和OH-，这些离子对离子交换树脂进行连续再生，以使离子交换树脂保持很优状态。EDI膜堆主要由交替排列的阳离子交换膜、浓水室、阴离子交换膜、淡水室和正、负电极组成。离子交换树脂充夹在阴阳离子交换膜之间形成单个处理单元，并构成淡水室，单元与单元之间用网状物隔开，形成浓水室。在直流电场的作用下，淡水室中离子交换树脂中的阳离子和阴离子沿树脂和膜构成的通道分别向负极和正极方向迁移，阳离子透过阳离子交换膜，阴离子透过阴离子交换膜，分别进入浓水室形成浓水。同时EDI进水中的阳离子和阴离子跟离子交换树脂中的氢离子和氢氧根离子交换，形成超纯水（高纯水）。超极限电流使水电解产生的大量氢离子和氢氧根离子对离子交换树脂进行连续的再生。传统的离子交换，离子交换树脂饱和后需要化学间歇再生。而EDI膜堆中的树脂通过水的电解连续再生，工作是连续的，不需要酸碱化学再生。磷酸铁锂新材料超纯水设备生产厂家。无锡碳酸锂超纯水设备
保持超纯水设备的正常运行和维护保养是非常重要的。超纯水设备故障排除。1. 设备无法启动。若超纯水设备无法启动，首先要检查电源是否正常，是否接触良好。如果电源正常，可以检查设备的保险丝是否烧断，是否需要更换。另外，还需要检查设备的开关和控制面板是否正常，是否需要修复或更换。2. 水质不符合要求。超纯水设备的主要任务就是提供高纯度的水质，如果水质不符合要求，就需要检查设备的滤芯和膜组件是否正常工作。滤芯可能需要更换，而膜组件可能需要清洗或更换。 无锡碳酸锂超纯水设备碳酸锂新材料超纯水设备厂家。
超纯水设备产出的超纯水储存在水箱时随着时间的延长水质会下降。那么，导致水质下降的原因有哪些呢?水箱材质。由于超纯水纯度很高，几乎无杂质，因此超纯水容易从外界环境吸收污染物造成污染。如果我们用的储水箱是低级塑料，就更容易溶部分有机物，从而增加水的电导率，导致水质下降。排气口。超纯水机的储水水箱大多会有一个排气口来保证气压平衡，这时候通过排气口会容易进入外界的空气同时带入细菌、颗粒污等，这些都会将储存在水箱中的纯水污染。因而硕科环保建议通气口配置过滤器。储水箱。一些超纯水设备配置的水箱是平底水箱，在维护的时候，无法将箱底的水排干，这些排不干净的水就会成为细菌生长的场所。因此我们硕科环保推荐使用锥形水箱，这样可以在维护的过程中将我们的水排干，不给细菌提供生长繁殖的场所。消毒。再密闭的环境也怕细菌滋生，因为极细微的微生物都能形成菌膜，污染我们的水。所以对于纯水的消毒也是很重要的。
半导体、电子行业是目前世界上要求非常高标准的超纯水设备用户。超纯水制造技术的发展极大地推动了半导体和电子工业的技术进度。同时半导体、电子工业的迅速发展促进了超纯水制造技术装备的发展。目前使用很多的制水工艺：（RO）反渗透+（EDI）电去离子工艺。（RO）反渗透+混床工艺。产水符合电子工业用水(水质符合美国ASTM标准，电子部超纯水水质标准（18MΩ*cm，15MΩ*cm，12MΩ*cm和Ω*cm四级)。电子超纯水设备应用范围。半导体工业用超纯水、彩色显像管用高纯水、集成电路、精细化工、实验室。半导体、集成电路芯片及封装、液晶显示、高精度线路板、光电器件、各种电子器件、微电子工业、大规模、超大规模集成电路需用大量的纯水、高纯水、超纯水清洗半成品、成品。集成电路的集成度越高，线宽越窄，对水质的要求也越高。目前我国电子工业部把电子级水质技术分为五个行业等级，分别为18MΩ.cm、15MΩ.cm、10MΩ.cm、2MΩ.cm、Ω.cm，以区分不同水质。 电子超纯水标准是什么？
光电光学玻璃行业的超纯水设备主要是为玻璃清洗时给超声波提供超纯水，镀膜玻璃镜片清洗超纯水设备设计上，采用成熟、可靠、先进、自动化程度高的两级RO＋EDI＋SMB除盐水处理工艺，确保处理后的超纯水水质出水电阻率达到MΩ.cm。关键设备及材料均采用国际主流先进可靠产品，采用PLC＋触摸屏控制，全套系统自动化程度高，系统稳定性高。磨是光学玻璃生产中决定其加工效率和表面质量（外观和精度）的重要工序。研磨工序中的主要污染物为研磨粉和沥青，少数企业的加工过程中会有漆片。其中研磨粉的型号各异，一般是以二氧化铈为主的碱金属氧化物。根据镜片的材质及研磨精度不同，选择不同型号的研磨粉。在研磨过程中使用的沥青是起保护作用的，以防止抛光完的镜面被划伤或腐蚀。玻璃研磨过后，需要用超纯水进行产品的清洗，以获得高质量的产品。 硕科超纯水设备具备完善的售后服务体系，确保用户无后顾之忧。无锡碳酸锂超纯水设备
硕科生产超纯水设备产品性能好，质量可靠。无锡碳酸锂超纯水设备
多晶硅超纯水设备主要用在多晶硅片清洗中，多晶硅片,半导体器件生产中硅片须经严格清洗。微量污染也会导致器件失效。清洗的目的在于去除表面污染杂质，包括有机物和无机物。这些杂质有的以原子状态或离子状态，有的以薄膜形式或颗粒形式存在于硅片表面。有机污染包括光刻胶、有机溶剂残留物、合成蜡和人接触器件、工具、器皿带来的油脂或纤维。无机污染包括重金属金、铜、铁、铬等，严重影响少数载流子寿命和表面电导;碱金属如钠等，引起严重漏电,颗粒污染包括硅渣、尘埃、细菌、微生物、有机胶体纤维等，会导致各种缺陷。针对多晶硅加工工艺需求和当地水源情况，可采用工艺流程:ASS+UF+1RO+2RO+EDI+SMB或MMF+ACF+1RO+2RO+EDI+SMB工艺流程，硕科环保采用国内先进设计理念，确保系统设备产水达到标准。 无锡碳酸锂超纯水设备
