真空镀膜机的工作原理如下：
在镀膜领域，镀膜后薄膜样品的厚度是影响薄膜性能的一个重要因素。因此，当评价某薄膜样品的性能时，需要检测该薄膜样品不同厚度下的性能。对于真空镀膜的情形，这往往需要进行多次试样的制备。而这样多次制备样品存在两个问题：首先，不同次生长的样品，仪器的状态不同，以至于影响薄膜样品性能的因素可能不仅仅是厚度；其次，真空镀膜实验装取样品需要重新进行真空的获得，非常耗时。增加了生产和检测的成本。
因此，提供一种多功能磁控溅射镀膜系统，本系统由真空镀膜系统和手套箱系统集成而成，可在高真空蒸镀腔室中完成薄膜蒸镀，并在手套箱高纯惰性气体氛围下进行样品的存放、制备以及蒸镀后样品的检测。蒸发镀膜与手套箱组合，实现蒸镀、封装、测试等工艺全封闭制作，使整个薄膜生长和器件制备过程高度集成在一个完整的可控环境氛围的系统中，消除有机大面积电路制备过程中大气环境中不稳定因素影响，保障了高性能、大面积有机光电器件和电路的制备。
真空镀膜机详细镀膜方法如下：
1、检查真空镀膜设备各操作控制开关是否在"关"位置。
2、打开总电源开关，真空镀膜设备送电。
3、低压阀拉出。开充气阀，听不到气流声后，启动升钟罩阀，钟罩升起。
4、安装固定钨螺旋加热子。把PVDF薄膜和铝盖板固定在转动圆盘上。把铝丝穿放在螺旋加热子内。清理钟罩内各部位，保证无任何杂质污物。
5、落下钟罩。
6、启动真空镀膜设备抽真空机械泵。
7、开复合真空计电源。
1）左旋钮“1”顺时针旋转至指向2区段的加热位置。
2）低真空表“2”内指针顺时针移动，当指针移动至110mA时，左旋钮"1"旋转至指向2区段测量位置。
8、当低真空表“2”内指针再次顺时针移动至6.7Pa时，低压阀推入。这时左旋钮“1”旋转至指向1区段测量位置。
9、真空镀膜设备开通冷却水，启动扩散泵，加热40min。
10、低压阀拉出。重复一次⑦动作程序：左下旋钮“1”转至指向2区段测量位置。低真空表“2”内指针顺时针移动，当指针移动至6.7Pa时，开高压阀。
需要镀膜的被称为基片，镀的材料被称为靶材。 基片与靶材同在真空腔中。
蒸发镀膜一般是加热靶材使表面组分以原子团或离子形式被蒸发出来。并且沉降在基片表面，通过成膜过程（散点－岛状结构-迷走结构-层状生长）形成薄膜。 对于溅射类镀膜，可以简单理解为利用电子或高能激光轰击靶材，并使表面组分以原子团或离子形式被溅射出来，并且终沉积在基片表面，经历成膜过程，终形成薄膜。
薄膜均匀性概念
1、厚度上的均匀性，也可以理解为粗糙度，在光学薄膜的尺度上看（也就是1/10波长作为单位，约为100A），真空镀膜的均匀性已经相当好，可以轻松将粗糙度控制在可见光波长的1/10范围内，也就是说对于薄膜的光学特性来说，真空镀膜没有任何障碍。 但是如果是指原子层尺度上的均匀度，也就是说要实现10A甚至1A的表面平整，具体控制因素下面会根据不同镀膜给出详细解释。
2、化学组分上的均匀性： 就是说在薄膜中，化合物的原子组分会由于尺度过小而很容易的产生不均匀特性，SiTiO3薄膜，如果镀膜过程不科学，那么实际表面的组分并不是SiTiO3，而可能是其他的比例，镀的膜并非是想要的膜的化学成分，这也是真空镀膜的技术含量所在。 具体因素也在下面给出。
3、晶格有序度的均匀性： 这决定了薄膜是单晶，多晶，非晶，是真空镀膜技术中的热点问题。
