主要分类有两个大种类： 蒸发沉积镀膜和溅射沉积镀膜，具体则包括很多种类，包括真空离子蒸发，磁控溅射，MBE分子束外延，溶胶凝胶法等等 。
一般是加热靶材使表面组分以原子团或离子形式被蒸发出来。
厚度均匀性主要取决于：
1、基片材料与靶材的晶格匹配程度
2、基片表面温度
3. 蒸发功率，速率
4. 真空度
5. 镀膜时间，厚度大小。
组分均匀性：
蒸发镀膜组分均匀性不是很容易保证，具体可以调控的因素同上，但是由于原理所限，对于非单一组分镀膜，蒸发镀膜的组分均匀性不好。
晶向均匀性：
1、晶格匹配度
2、 基片温度
3、蒸发速率
溅射镀膜又分为很多种，总体看，与蒸发镀膜的不同点在于溅射速率将成为主要参数之一。
溅射镀膜中的激光溅射镀膜pld，组分均匀性容易保持，而原子尺度的厚度均匀性相对较差（因为是脉冲溅射），晶向（外沿）生长的控制也比较一般。
真空镀膜机为什么会越来越慢这种情况有两种可能
1、设备内部由于长时间镀膜导致有些脏东西在加热时放气，所以这种情况需要维护，即把内部屏蔽板拆下喷砂或脱膜，彻底清理。
2、由微小的渗漏，没有发现，尤其是各个传动部位密封，这种情况就是比较难查，如果没有检漏仪，就只能一部分一部分拆卸或用盲板逐步替换予以排除。也有人用针头酒精观察真空计的变化检查，但一般漏的不大时不好判断，至于你说的真空1.9的那个其实也并不高，还有就是漏率是按照你的设备体积以及单位时间的真空下降程度来算的不是按照真空值计算的，比如你的真空泵抽速好，抽气能力强就有可能克服微漏而使真空显示较高的数值。
真空镀膜机主要指一类需要在较高真空度下进行的镀膜，具体包括很多种类，包括真空离子蒸发，磁控溅射，MBE分子束外延，PLD激光溅射沉积等很多种。主要思路是分成蒸发和溅射两种。
镀膜机工艺在集成电路制造中的运用，镀膜机晶体管路中的保护层（SiO2、Si3N4）、电极管线（多晶硅、铝、铜及其合金）等多是选用CVD技能、PVCD技能、真空蒸腾金属技能、磁控溅射技能和射频溅射技能。可见气相堆积术制备集成电路的核心技能之一。
