美高森美 集成度高 IXFN55N50
价格：90.00起
MOS管的工作原理是通过改变金属栅与半导体衬底之间的电场强度来控制电流的流动。当栅电压变化时，电场强度也会发生变化，从而改变导电区的电荷密度和电阻，从而控制电流的流动。
MOSFET是一种单型晶体管，具有三个电：栅（Gate）、漏（Drain）和源（Source）。通过调节栅电压，可以控制漏和源之间的电流流动，实现放大和开关功能。
MOS管具有低电压、低功耗、高输入阻抗、高速开关、可靠性好等优点，因此广泛应用于电子电路中的功率放大、开关控制、信号调理、数字逻辑等领域。
MOS管由金属栅、氧化物绝缘层和半导体材料组成。栅上的电压可以控制氧化物绝缘层下的电场，从而调节半导体中的电荷分布，控制电流的流动。
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