光通信行业梓冠厂家 光纤传感 光电开关接线图
价格：6666.00起
SIMOX技术的优点是：能形成比较均匀的埋层氧化物Burried Oxide—BOX，因为可以通过控制注入能量来控制BOX上硅的厚度；BOX与顶层硅之间的界面也平整。SIMOX技术的缺点是：BOX和顶层硅的厚度只能在有限的范围内进行调整，BOX的厚度通常不超过240nm（厚度太薄会导致顶层与衬底击穿，顶层硅薄膜和衬底之间的寄生电容会增加），而顶层硅薄膜厚度不超过300nm（厚度不够，需要进行硅的外延来补足，然后CMP平坦化处理，成本过高）；另外，SIMOX还会造成表层薄膜损伤，顶层硅薄膜的晶体质量不及体单晶硅，埋层SiO2的晶体质量不如热氧化生长的SiO2；SIMOX需要用上昂贵的大束流注氧离子注入机，还需要长时间的高温退火工艺，成本较高。
NxN可定制通道
提供差损类型，差损<3dB, <2dB可以定制。
可定制超小尺寸
详情介绍：
高速光开关阵列的特点：本系列光开关产品为集成式低损耗，无阻断高速光开关阵列，可用于高速光切换，网络配置及光学包交换。
高集成化光开关，作为实现全光交换功能的核心部件，目前国内普遍采用单器件级联拼接的方式实现矩阵化。这种方案在其指标、工艺要求、产品可靠性及成本等方面形成瓶颈，导致国内全光交换应用在推广性、发展难以突破。
品名称：NxN速光开关
产品简介：
高速铌酸速光开光具有的开关速度（标准产品是10ns，速产品为<100ps），较低的插损（标准插损3.5dB，插损型号为2dB），高开关速率为亚纳秒，标准产品为10ns开关速率，产品也适合领域的微波通信用途。通道数可定制！
大多数光电类型使用pn结，而基于Si或Ge的结称为Si电池或Ge电池。由于具有从可见光到近红外的良好特性，因此具有广泛的应用范围。当以施加反向偏置电压并取出电流的方式使用光伏器件时，其具有的测量特性。通常称为光电二管，它越来越多地代替光电倍增管。光电晶体管使用与光电二管相同的检测方法，但结合了用于放大输出的机制。
