声光控开关 光纤通信 光通信行业梓冠厂家
价格：6666.00起
SIMOX技术的优点是：能形成比较均匀的埋层氧化物Burried Oxide—BOX，因为可以通过控制注入能量来控制BOX上硅的厚度；BOX与顶层硅之间的界面也平整。SIMOX技术的缺点是：BOX和顶层硅的厚度只能在有限的范围内进行调整，BOX的厚度通常不超过240nm（厚度太薄会导致顶层与衬底击穿，顶层硅薄膜和衬底之间的寄生电容会增加），而顶层硅薄膜厚度不超过300nm（厚度不够，需要进行硅的外延来补足，然后CMP平坦化处理，成本过高）；另外，SIMOX还会造成表层薄膜损伤，顶层硅薄膜的晶体质量不及体单晶硅，埋层SiO2的晶体质量不如热氧化生长的SiO2；SIMOX需要用上昂贵的大束流注氧离子注入机，还需要长时间的高温退火工艺，成本较高。
高集成化光开关，作为实现全光交换功能的核心部件，目前国内普遍采用单器件级联拼接的方式实现矩阵化。这种方案在其指标、工艺要求、产品可靠性及成本等方面形成瓶颈，导致国内全光交换应用在推广性、发展难以突破。
为了对短时间大视场一维光强信息进行采集,采用编码转换技术和自聚焦透镜矩形阵列设计了光开关,用小口径电光晶体实现了大视场的测量.采用MOS管级联的高压同步电路,使得系统具有结构紧凑、性价比高、寿命长等优点.实验结果表明:开关选通时间100±5 ns,前后沿小于25 ns,消光比1 100∶1
NxN可定制通道
提供差损类型，差损<3dB, <2dB可以定制。
可定制超小尺寸
品名称：NxN速光开关
产品简介：
高速铌酸速光开光具有的开关速度（标准产品是10ns，速产品为<100ps），较低的插损（标准插损3.5dB，插损型号为2dB），高开关速率为亚纳秒，标准产品为10ns开关速率，产品也适合领域的微波通信用途。通道数可定制！
光电倍增管Photomultiplier Modules
产品特性：
两种波段可选：280 - 630 nm 或 280 - 850 nm
可提供倍增管接口组件
具有防静电和消磁作用
变换增益：阳电流1 V/μA
链构型环形电
封装与SM1螺纹匹配
封装含4个螺纹孔，与ER系列笼杆匹配
支杆可安装于3种不同组件
120V电源供应（230V可选）
SMA输出
