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EVK-HADES® •CISSOID活性元件-55°~225°C(TJ) •200 °C Polyimide PCB •符合175°C环境条件 •高侧和低侧门驱动器 •1200 VDC总线电压设计 •Gate output current ±4A •隔离(初级-中级):2,500 VAC@50 Hz(1mN) >100 mm@500 VDC •共模瞬态免疫:30kV/µs(设计用于50kV/µs) •延迟时间(PWM到NGH/NGL):200 ns类型。 •栅极电压: •MOSFET支撑:20V/-5V标称(EVK-TIT0636A) •JFET(SJEP120R100)支援:-16V/16V(EVK-TIT0636B) •上升时间(1NF负载):10 ns类型。 •下降时间(1NF负载):10 ns类型。 •开关频率:高达150千赫(可能超过) •单电源:12V±10% •接口电压(数字I/O):5V •欠压锁定(UVLO) •用于hs和ls驱动器的独立pwm输入或机载不重叠的单个pwm输入。 •隔离故障输出