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关 键 词：功耗低MOS管
行 业：仪器仪表 电子元器件 电源IC
发布时间：2023-07-26
mos管是金属（metal）—氧化物（oxide）—半导体（semiconductor）场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体（insulator）—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。
型号齐全：
2SK3018
AO3400
AO3401
AO3402
AO3407
AO3409
AO3415
PT8205
SI2300
SI2305
SI2310
SI2312
结型场效应管也具有三个电，它们是：栅；漏；源。电路符号中栅的箭头方向可理解为两个PN结的正向导电方向。
MOSFET管是FET的一种（另一种是JFET），可以被制构成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但理论应用的只需增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。场效应管分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOS管）两大类。
MOS管分类及区别
结型场效应管（JFET）
结型场效应管的分类：结型场效应管有两种结构形式，它们是N沟道结型场效应管和P沟道结型场效应管。
结型场效应管也具有三个电，它们是：栅；漏；源。电路符号中栅的箭头方向可理解为两个PN结的正向导电方向。2、结型场效应管的工作原理(以N沟道结型场效应管为例)，N沟道结构型场效应管的结构及符号，由于PN结中的载流子已经耗尽，故PN基本上是不导电的，形成了所谓耗尽区，当漏电源电压ED一定时，如果栅电压越负，PN结交界面所形成的耗尽区就越厚，则漏、源之间导电的沟道越窄，漏电流ID就愈小；反之，如果栅电压没有那么负，则沟道变宽，ID变大，所以用栅电压EG可以控制漏电流ID的变化，就是说，场效应管是电压控制元件。
绝缘栅场效应管
1、绝缘栅场效应管（MOS管）的分类：绝缘栅场效应管也有两种结构形式，它们是N沟道型和P沟道型。无论是什么沟道，它们又分为增强型和耗尽型两种。
2、它是由金属、氧化物和半导体所组成，所以又称为金属—氧化物—半导体场效应管，简称MOS场效应管。
3、绝缘栅型场效应管的工作原理(以N沟道增强型MOS场效应管)它是利用UGS来控制“感应电荷”的多少，以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，然后达到控制漏电流的目的。在制造管子时，通过工艺使绝缘层中出现大量正离子，故在交界面的另一侧能感应出较多的负电荷，这些负电荷把高渗杂质的N区接通，形成了导电沟道，即使在VGS=0时也有较大的漏电流ID。当栅电压改变时，沟道内被感应的电荷量也改变，导电沟道的宽窄也随之而变，因而漏电流ID随着栅电压的变化而变化。场效应管的工作方式有两种：当栅压为零时有较大漏电流的称为耗散型；当栅压为零，漏电流也为零，必须再加一定的栅压之后才有漏电流的称为增强型。
