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关 键 词：常规肖特基管
行 业：仪器仪表 电子元器件 电源IC
发布时间：2023-07-23
肖特基二管具有开关频率高、正向压降低等优点，但肖特基二管的反向击穿电压比较低，一般不会高于60V，高仅约为100V，以致于限制了肖特基二管的应用范围。在变压器次级用100V以上的高频整流二管、开关电源和功率因数校正电路中的功率开关器件续流二管、RCD缓冲器电路中用600V～1.2kV之间的高速二管、PFC升压用600V二管等情况下时，只有使用快速恢复外延二管和超快速恢复二管。
典型的肖特基整流管的内部电路结构是以N型半导体为基片，在上面形成用作掺杂剂的N-外延层。阳使用钼或铝等材料制成阻档层。用二氧化硅（SiO2）来消除边缘区域的电场，提高管子的耐压值。N型基片具有很小的通态电阻，其掺杂浓度较H-层要高倍。在基片下边形成N+阴层，其作用是减小阴的接触电阻。通过调整结构参数，N型基片和阳金属之间便形成肖特基势垒，如图所示。当在肖特基势垒两端加上正向偏压（阳金属接电源正，N型基片接电源负）时，肖特基势垒层变窄，其内阻变小；反之，若在肖特基势垒两端加上反向偏压时，肖特基势垒层则变宽，其内阻变大。
如何选用肖特基二管
开关电源当中我们经常会用到肖特基二管，但是由于不同厂商等原因性能上就相差很大，我们选择肖特基时必须要考虑以下几点参数：
1.导通压降VF：VF为二管正向导通时二管两端的压降，选择肖特基二管是尽量选择VF较小的二管。
2.反向饱和漏电流IR：IR指在二管两端加入反向电压时，流过二管的电流，肖特基二管反向漏电流较大，选择肖特基二管是尽量选择IR较小的二管。
3.额定电流IF：指二管长期运行时，根据允许温升折算出来的平均电流值。
4.大浪涌电流IFSM：允许流过的过量的正向电流。它不是正常电流，而是瞬间电流，这个值相当大。
5.大反向峰值电压VRM：即使没有反向电流，只要不断地提高反向电压，迟早会使二管损坏。这种能加上的反向电压，不是瞬时电压，而是反复加上的正反向电压。因给整流器加的是交流电压，它的大值是规定的重要因子。大反向峰值电压VRM指为避免击穿所能加的大反向电压。
6.大直流反向电压VR：上述大反向峰值电压是反复加上的峰值电压，VR是连续加直流电压时的值。用于直流电路，大直流反向电压对于确定允许值和上限值是很重要的。
7.高工作频率fM：由于PN结的结电容存在，当工作频率超过某一值时，它的单向导电性将变差。肖特基二管的fM值较高，大可达100GHz。
8.反向恢复时间Trr：当工作电压从正向电压变成反向电压时，二管工作的理想情况是电流能瞬时截止。实际上，一般要延迟一点点时间。决定电流截止延时的量，就是反向恢复时间。虽然它直接影响二管的开关速度，但不一定说这个值小就好。也即当肖特基二管由导通突然反向时，反向电流由很大衰减到接近IR时所需要的时间。大功率开关管工作在高频开关状态时，此项指标至为重要。
肖特基二管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基势垒二管（SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD）的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二管或表面势垒二管，它是一种热载流子二管。
