功率MOSFET概述：
TI基于稳压IC的电源管理创新NexFET™技术，UCC2803QDREP稳压IC，与稳压IC完美结合将垂直电流与横向功率MOSFET相结合。它提供了一个低导通电阻，需要极低的栅极电荷和行业标准封装外形，这是以前现有硅平台无法实现的组合。
NexFET技术为N沟道和P沟道提供高性能功率MOSFET器件。设计师能够实现90%的供电高输出电流和低占空比，UCC2803QDREP稳压IC，UCC2803QDREP稳压IC，从轻负载到全负载的效率，**了离散设计的突破。
功率MOSFET，稳压IC主要包括：N沟道MOSFET晶体管和 P沟道MOSFET晶体管。
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结论
电子技术的快速发展给功率转换器的设计带来了巨大的压力，因为复杂的系统被塞进了越来越小的空间。敏感系统的接近性使得抑制EMI具有挑战性。在设计功率转换器时，必须格外小心，以符合标准机构规定的限制，以确保关键系统能够在噪声环境中安全运行。
低EMI设计可以节省大量开发周期时间，同时还可以减少电路板面积和解决方案成本。TI提供多种功能和技术来缓解EMI，如扩频、有源EMI滤波、抵消绕组、封装创新、集成输入旁路电容器和真正的转换速率控制方法。
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数据表SMPS设备评估模块中公布的传导和辐射EMI结果根据**严格的工业和汽车EMI标准进行测试，数据表中公布的结果有助于您提前了解设备的EMI性能。您可以通过单击设备数据表第一页上的“针对**EMI要求进行了优化”来访问详细的EMI报告。LM62440-Q1数据表中的EMI报告包括CISPR 25 5级传导和辐射设置的完整数据。
此外，TI可以在内部执行系统级EMI建模和测量，以帮助您验证EMI性能并加快循环时间。
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升压稳压器-稳压IC
将输入电压高效转换到更高的输出电压
查看所有产品
我们品类丰富的升压稳压器产品系列包括同步和非同步器件，这些器件能够以高达 96% 的效率满足从几毫安到 100A 等各种应用的需求。我们的产品具有有助于延长电池寿命的低静态电流 (IQ)、实现小尺寸的高功率密度和实现低 EMI 的展频技术等关键特性。您可以找到升压、SEPIC 和反激式解决方案。
按类别分类:
升压控制器（外部开关）
升压转换器（集成开关）
升压模块（集成电感器）
按类型选择
控制器
我们提供灵活的同步和非同步升压控制器以支持更高的功率级别。
我们的低功耗升压转换器可满足您对小尺寸解决方案、低系统成本和高功率密度的需求。
我们的升压模块支持小解决方案尺寸、高功率密度和快速设计。
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有源EMI滤波-TI稳压IC技术专题
为了大幅改善低频频谱中的发射，LM25149-Q1降压控制器采用了有源EMI滤波方法。集成有源EMI滤波器通过充当有效的低阻抗分流器，减少输入端的DM传导发射。图12显示了buck控制器的有源EMI滤波器如何连接到输入线。传感和注入引脚通过各自的电容器连接到输入端。有源EMI滤波器块内的有源元件放大感测信号，并通过注入电容器注入适当的反极性信号，以**小化输入线上的整体干扰。这减少了
过滤所需无源元件的负担，从而减少其尺寸、体积和成本。
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UCC28084稳压IC
具有可编程斜率补偿、3.5ms软启动、4.3/4.1UVLO、温度范围为-40°C至85°C的电流模式推挽式PWMUCC28084稳压IC的特性可编程斜率补偿UCC38083/4上的内部软启动逐周期限流120µA的低启动电流和1.5mA的典型运行电流单外部组件振荡器，可在50kHz至1MHz范围内编程高电流图腾柱双输出级驱动器推拉配置，具有1-A接收器和0.5-A电源能力提高动态响应的电流感应放电晶体管内部修剪带隙基准滞后欠压锁定应用高效率开关电源电信直流-直流转换器负载点或使用点电源模块低成本推拉和半桥应用
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