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静电放电形式与带电体的几何形状、电压和带电体的材质有关。静电放电形式：电晕放电(1)电晕放电：是发生在带电体前列或曲率半径很小处附近的局部放电。电晕放电可能伴有轻微的嘶嘶声和微弱的淡紫色光。电晕放电一般没有引燃危险。刷形放电和传播型刷形放电(2)刷形放电和传播型刷形放电:都是发生在绝缘体表面的有声光的多分支放电，河南低电容ESD保护元件参数。当绝缘体背面紧贴有金属导体时，绝缘体正面将出现传播型刷形放电，河南低电容ESD保护元件参数。同一绝缘体上可发生多次刷形放电或传播型刷形放电。刷形放电有一定的引燃危险；传播型刷形放电的引燃危险性大。(3)火花放电:是带电体之间发生的通道单一的放电。火花放电有明亮的闪光和有短促的爆裂声。其引燃危险性很大。(4)雷型放电：是悬浮在空间的大范围、高密度带电粒子形成的闪电状放电，河南低电容ESD保护元件参数。其引燃危险性很大。因CMOS使用**为***的工艺之一，所以MOS器件成使用**为普遍的ESD保护器件。河南低电容ESD保护元件参数
ESD防护电路对高频信号质量的影响与改进。ESD防护电路的引入会影响电路的信号传输质量，使信号的时延、频响、电平等发生变化。在高频电路中，防护电路引起电路参数的改变而影响电路的阻抗匹配，防护器件的导通特性也会引起信号的衰减、畸变、限幅等效应。防护器件的结电容、箱位电压(成导通电压)是影响高频信号质量的关键因素。信号频率高于1GHz时，直接采用TVS和开关二极管作ESD防护，其结电容很难满足线路信号质量的要求，此时需要采用降低防护电路并联结电容的措施或采用LC高通滤波器结构。河南低电容ESD保护元件参数目前ESD静电保护元件结电容可做到0.1pF以内。
静电放电机器模型MM因在日本得到广泛应用，也叫日本模型。与家具模型不同的是它主要由200pf电容串非常低的电阻（<10Ω）代替通常串联的电阻构成。机器模型的典型**如带电绝缘的机器人手臂、车辆、绝缘导体等。机器模型放电的波形与预料的家具模型波形相似，不同的是带电电容较大。典型的机器模型对小电阻放电的波形,峰值电流可达几百安培，持续时间（决定于放电通路的电感）为几百纳秒。机器放电模型是电子元器件的(HBM/MM/CDM)三个重要放电模型之一，其主要的测试设备为EST883A静电放电模拟器，它是EST883A静电放电模拟器(电子元器件如二极管、三极管和集成电路等人体模型**)的基础上增加了机器模型(MM)。
人体放电模型（HBM）是静电放电（ESD）模型的一种，是分析电子元件对静电放电耐受性特性时，**常使用的模型。人体放电模型是模拟带有静电的人碰到电子元件时，在几百纳秒（ns）的时间内产生数安培的瞬间放电电流。对2千伏的ESD放电电压而言，其瞬间放电电流的尖峰值大约是1.33安培。1.HBM：HumanBodyModel，人体模型：该模型表征人体带电接触器件放电，Rb为等效人体电阻，Cb为等效人体电容。等效电路如下图。图中同时给出了器件HBM模型的ESD等级。使用SCR器件可以有效的降低由ESD器件带来的寄生电容，这一点对于RF芯片的ESD设计非常有利。
对于ESD，我们应该如何进行一个选型呢？ESD主要分为四类：TVS二极管、压敏电阻、MLCC、ESD抑制器，各个器件的应用场景也不太一样，我们**常用的esd器件就是tvs二极管了。1）工作电压选择ESD器件应该选择系统工作电压小于ESD器件的工作电压（VRWM），例如系统是0~5V，那么我们应该选择工作电压（VRWM）大于5V的TVS。2）信号类型单向ESD器件和双向ESD器件的选择，双向ESD器件可以通过正负击穿电压（VBR）的信号，而单向ESD器件只可以通过正击穿电压（VBR）的信号，如果通过负的就会造成ESD器件击穿。3）寄生电容ESD器件是有寄生电容的，如图是寄生电容对高速电路接口的影响，寄生电容会影响电平的上升和下降速度，影响输出后的信号。4）根据电路系统的比较大承受电压冲击，选择适合的钳位电压；5）确保ESD器件可达到或超过IEC61000-4-2level4。ESD静电放电常见放电模型有：分别是HBM，MM, CDE。北京高浪涌ESD保护元件电容
静电源包装，出ESD防护区的器件必须使用防静电包装，以防外界静电源的影响。河南低电容ESD保护元件参数
由于这种SCR的触发要靠Nwell和Pwell结的击穿来实现，在CMOS工艺中，其击穿电压大约有几十伏，远高于一般器件的栅氧击穿电压，达不到ESD防护的效果。因此对于低压CMOS芯片而言，SCR的触发电压需要通过一些方法降低，以满足芯片的保护要求。SCR的高It2使得器件可以以很小的宽度达到芯片的抗ESD要求，因此使用SCR器件可以有效的降低由ESD器件带来的寄生电容，这一点对于RF芯片的ESD设计非常有利。由于这种SCR的触发要靠Nwell和Pwell结的击穿来实现，在CMOS工艺中，其击穿电压大约有几十伏，远高于一般器件的栅氧击穿电压，达不到ESD防护的效果。因此对于低压CMOS芯片而言，SCR的触发电压需要通过一些方法降低，以满足芯片的保护要求。SCR的高It2使得器件可以以很小的宽度达到芯片的抗ESD要求，因此使用SCR器件可以有效的降低由ESD器件带来的寄生电容，这一点对于RF芯片的ESD设计非常有利。河南低电容ESD保护元件参数
上海来明电子有限公司是一家一般项目: 电子产品、电子元器件、电动工具、机电设备、仪器仪表、通讯器材(除卫星电视广播地面接收设施)、音响设备及器材、金属材料、日用百货的销售，电子元器件的制造。加工(以上限分支机构经营)。(除依法须经批准的项目外。凭营业执照依法自主开展经营活动) 许可项目: 货物进出口;技术进出口:进出口代理。(依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动，具体经营项目以相关部门批准文件或许可证件为准)的公司，致力于发展为创新务实、诚实可信的企业。来明电子拥有一支经验丰富、技术创新的专业研发团队，以高度的专注和执着为客户提供TVS、ESD、MOV，放电管、保险丝、继电器，二三极管MOS管、晶振，NTC，PPTC，电容。来明电子不断开拓创新，追求出色，以技术为先导，以产品为平台，以应用为重点，以服务为保证，不断为客户创造更高价值，提供更优服务。来明电子始终关注自身，在风云变化的时代，对自身的建设毫不懈怠，高度的专注与执着使来明电子在行业的从容而自信。
