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LPCVD（低压力化学气相沉积）设备是在低压高温的条件下，通过化学反应气相外延的方法在衬底上沉积各种功能薄膜（主要是Si3N4、SiO2及Poly硅薄膜）。可用于科学研究、实践教学、小型器件制造。 设备结构及特点： 1、小型化，方便实验室操作和使用，大幅降低实验成本 两种基片尺寸2英寸或4英寸；每次装片1～3片。 基片放置方式：配置三种基片托架，竖直、水平卧式、带倾角。 基片形状类型：不规则形状的散片、φ2～4英寸标准基片。 2、设备为水平管卧式结构 由石英管反应室、隔热罩炉体柜、电气控制系统、真空系统、气路系统、温控系统、压力控制系统及气瓶柜等系统组成。 反应室由高纯石英制成，耐腐蚀、抗污染、漏率小、适合于高温使用；设备电控部分采用了xian jin的检测和控制系统，量值准确，性能稳定、ke kao。 设备主要技术指标 类型 参数 成膜类型 Si3N4、Poly-Si、SiO2等 最高温度 1200℃ 恒温区长度 根据用户需要配置 恒温区控温精度 ≤±0.5℃ 工作压强范围 13～1330Pa 膜层不均匀性 ≤±5％ 基片每次装载数量 标准基片:1～3片;不规则尺寸散片:若干 压力控制 闭环充气式控制 装片方式 手动进出样品 生产型LPCVD设备 设备功能 该设备是在低压高温的条件下，通过化学反应气相外延的方法在衬底上沉积各种功能薄膜（主要是Si3N4、SiO2及Poly硅薄膜）。 可提供相关镀膜工艺。 设备主要技术指标 类型 参数 成膜类型 Si3N4、Poly-Si、SiO2等 最高温度 1200℃ 恒温区长度 根据用户需要配置 恒温区控温精度 ≤±0.5℃ 工作压强范围 13～1330Pa 膜层不均匀性 ≤±5％ 基片每次装载数量 100片 设备总功率 16kW 冷却水用量 2m3/h 压力控制 闭环充气式控制 装片方式 悬臂舟自动送样 设备结构及特点 设备为水平管卧式结构，由石英管反应室、隔热罩炉体柜、电气控制系统、真空系统、气路系统、温控系统、压力控制系统及气瓶柜等系统组成。 反应室由高纯石英制成，耐腐蚀、抗污染、漏率小、适合于高温使用；设备电控部分采用了xian jin的检测和控制系统，量值准确，性能稳定、ke kao。 整个工艺过程由计算机对全部工艺流程进行管理，实现炉温、气体流量、压力、阀门动作、泵的启闭等工艺参数进行监测和自动控制。也可以手动控制。 关于我们 鹏城半导体技术（深圳）有限公司，由哈尔滨工业大学（深圳）与有多年实践经验的工程师团队共同发起创建。公司立足于技术前沿、市场前沿和产业前沿的交叉点，寻求创新yin*ling与可持续发展，解决产业的痛点和国产化难题，争取产业链的自主可控。 鹏城微纳技术（沈阳）有限公司是鹏城半导体技术（深圳）有限公司全资子公司，是半导体和泛半导体工艺和装备的设计中心和生产制造基地。 公司核心业务是微纳技术与gao*duan精密制造，具体应用领域包括半导体和泛半导体材料、工艺、装备的研发设计、生产制造、工艺技术服务及装备的升级改造，可为用户提供工艺研发和打样，可为生产企业提供生产型设备，可为科学研究提供科研设备。 公司人才团队知识结构完整，有工程师哈工大教授和博士，为核心的高水平材料研究和工艺研究团队，还有来自工业界的高级装备设计师团队，他们具有30多年的半导体材料研究、外延技术研究和半导体薄膜制备成套装备设计、生产制造的经验。 公司依托于哈尔滨工业大学（深圳），具备先进的半导体研发设备平台和检测设备平台，可以在高起点开展科研工作。公司总部位于深圳市，具备半导体和泛半导体装备的研发、生产、调试以及器件的中试、生产、销售的能力。 公司团队技术储备及创新能力 1998~2002 -设计了中试型的全自动化监控的MOCVD，用于外延硅基GaN -设计制造了聚氨酯薄膜的卷绕式镀膜机 2005 -设计制造了中国di*yi台完全自主知识产权的MBE(分子束外延设备)，用于外延光电半导体材料 2007 -设计超高温CVD 和MBE，用于4H晶型SiC外延生长 -设计制造了光学级金刚石生长设备（采用热激发技术和CVD技术） 2015 -设计制造了金刚石涂层制备设备，制备了金刚石电极、微米晶和纳米晶金刚石薄膜、导电金刚石薄膜 2017 -优化Rheed设计，开始生产型MBE设计 -开始研发PSD方法外延GaN的工艺和装备 2019 -设计制造了大型热丝CVD金刚石薄膜的生产设备 2021 -鹏城半导体技术（深圳）有限公司成立 2022 -子公司鹏城微纳成立； -热丝CVD设备、高真空磁控溅射仪、电子束蒸镀机、分子束外延与磁控溅射联用设备多套出货 -获得ISO9001质量管理体系证书 2023 -PSD方法外延GaN装备与工艺的技术攻关； -科技型中小企业-入库编号202344030500018573； -创新型中小企业； -获50+项知识产权专利； -企业信用评价AAA级信用企业；/ISO三体系认证； -子公司晶源半导体成立 2024~2026 -与jun*gong和he*gong*ye客户合作取得突破（he*fan*ying*dui*材料的涂层工艺及装备、X *guang*gan*板及光电器件的薄膜生长） -鹏城微纳技术（沈阳）有限公司子公司扩产 -TGV/TSV/TMV -wei*guang*tan*测、yi*liao*ying*xiang、fu*he*ying*zhi*tu*层 -gao*xin*ji*shu企业 one*three*sex*three*two*seven*five*0*0*one*seven
