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高真空电阻热蒸发镀膜机采用电阻热蒸发技术，它是在高真空条件下，通过加热材料的方法，在衬底上沉积各种化合物、混合物单层或多层膜。可用于生产和科学实验，可根据用户要求专门订制；可用于材料的物理和化学研究；可用于制备金属导电电极；可用于you ji材料的物理化学性能研究实验、you ji半导体器件的原理研究实验、OLED实验研究及you ji太阳能薄膜电池研究实验等。 设备构成 单镀膜室 单镀膜室＋进样室 单镀膜室＋手套箱（可将镀膜室放在手套箱内） 单镀膜室＋进样室＋手套箱（可将镀膜室放在手套箱内） 多镀膜室＋样品传递室＋手套箱（组成团簇式结构，样品传递采用真空机械手） 设备组成 电阻热蒸发源组件 样品掩膜挡板系统 真空获得系统及真空测量系统 分子泵（或冷泵）真空机组 旋转基片加热台 工作气路 手套箱连接部件 样品传递机构 膜厚控制系统 电控系统 恒温冷却水系统 热蒸发源类型和数量，可根据用户需要进行配置 膜厚监控仪、恒温制冷水箱（可选） 热蒸发源种类及配置 电阻热蒸发源组件 数量:1～12套（可根据用户要求配装） 电阻热蒸发源种类 钽（钨或钼）金属舟热蒸发源组件 石英舟热蒸发源组件 钨极或钨蓝热蒸发源组件 钽炉热蒸发源组件（配氮化硼坩埚或陶瓷坩埚） 束源炉热蒸发组件（配石英坩埚或氮化硼坩埚） 工作条件（实验室应具备的设备工作条件） 项目 参数 供电 4KW，三相五线制~AC380V 工作环境温度 10℃~40℃ 工作环境湿度 ≤50% 冷却水循环 0.2m3/h，水温18℃~25℃ 水压 0.15MPa~0.25MPa 真空性能 极限真空：7×10-5Pa～7×10-6Pa 设备总体漏放率：关机12小时,≤10Pa 操作方式 手动、半自动 关于我们 鹏城半导体技术（深圳）有限公司，由哈尔滨工业大学（深圳）与有多年实践经验的工程师团队共同发起创建。公司立足于技术前沿、市场前沿和产业前沿的交叉点，寻求创新yin*ling与可持续发展，解决产业的痛点和国产化难题，争取产业链的自主可控。 鹏城微纳技术（沈阳）有限公司是鹏城半导体技术（深圳）有限公司全资子公司，是半导体和泛半导体工艺和装备的设计中心和生产制造基地。 公司核心业务是微纳技术与gao*duan精密制造，具体应用领域包括半导体和泛半导体材料、工艺、装备的研发设计、生产制造、工艺技术服务及装备的升级改造，可为用户提供工艺研发和打样，可为生产企业提供生产型设备，可为科学研究提供科研设备。 公司人才团队知识结构完整，有工程师哈工大教授和博士，为核心的高水平材料研究和工艺研究团队，还有来自工业界的高级装备设计师团队，他们具有30多年的半导体材料研究、外延技术研究和半导体薄膜制备成套装备设计、生产制造的经验。 公司依托于哈尔滨工业大学（深圳），具备先进的半导体研发设备平台和检测设备平台，可以在高起点开展科研工作。公司总部位于深圳市，具备半导体和泛半导体装备的研发、生产、调试以及器件的中试、生产、销售的能力。 公司团队技术储备及创新能力 1998~2002 -设计了中试型的全自动化监控的MOCVD，用于外延硅基GaN -设计制造了聚氨酯薄膜的卷绕式镀膜机 2005 -设计制造了中国di*yi台完全自主知识产权的MBE(分子束外延设备)，用于外延光电半导体材料 2007 -设计超高温CVD 和MBE，用于4H晶型SiC外延生长 -设计制造了光学级金刚石生长设备（采用热激发技术和CVD技术） 2015 -设计制造了金刚石涂层制备设备，制备了金刚石电极、微米晶和纳米晶金刚石薄膜、导电金刚石薄膜 2017 -优化Rheed设计，开始生产型MBE设计 -开始研发PSD方法外延GaN的工艺和装备 2019 -设计制造了大型热丝CVD金刚石薄膜的生产设备 2021 -鹏城半导体技术（深圳）有限公司成立 2022 -子公司鹏城微纳成立； -热丝CVD设备、高真空磁控溅射仪、电子束蒸镀机、分子束外延与磁控溅射联用设备多套出货 -获得ISO9001质量管理体系证书 2023 -PSD方法外延GaN装备与工艺的技术攻关； -科技型中小企业-入库编号202344030500018573； -创新型中小企业； -获50+项知识产权专利； -企业信用评价AAA级信用企业；/ISO三体系认证； -子公司晶源半导体成立 2024~2026 -与jun*gong和shang*shi*tou*bu*qi*ye*客户合作取得突破（X *guang*gan*板及光电器件的薄膜生长） -鹏城微纳技术（沈阳）有限公司子公司扩产 -TGV/TSV/TMV -wei*guang*tan*测、yi*liao*ying*xiang、fu*he*ying*zhi*tu*层 -gao*xin*ji*shu企业 one*three*sex*three*two*seven*five*0*0*one*seven
