ITO导电膜

时间：2011-08-25 12:00:00 点击：122

ITO导电膜
导电膜是指采用磁控溅射的方法（ITO 薄膜的制备方法有蒸发、溅射、反应离子镀、化学汽相沉积、热解喷涂等, 但使用较多的是反应磁控溅射法），在透明**薄膜材料上溅射透明氧化铟锡(ITO)导电薄膜镀层并经高温退火处理得到的高技术产品。ITO膜层的厚度不同，膜的导电性能和透光性能也不同。一般来说，在相同的工艺条件和性能相同的PET基底材料的情况下，ITO膜层越厚，PET-ITO膜的表面电阻越小，光透过率也相应的越小。 
　　以下是两种不同的PET-ITO导电膜的参数： 
　　高阻抗ITO导电膜（PET-ITO） 
　　　高阻抗ITO导电薄膜PET-ITO主要应用于移动通讯领域的触摸屏生产。 
　　　产品参数： 
　　面电阻：300～500 Ω/□ 
　　面电阻均匀性：MD≤±3%，TD≤±6% 
　　薄膜厚度：0.188±10% 
　　线性度（MD）：≤1.5% 
　　全光线透过率：≥86% 
　　表面硬度（铅笔硬度）：≥3H 
　　热稳定性：(R-R0)/R: ±20% 
　　热收缩率：MD≤1.0%，TD≤0.8% 
　　加热卷曲：≤10mm 
　　低阻抗ITO导电膜（PET-ITO） 
　　低阻抗ITO导电膜可用于对导电性能要求比较高的领域，如：用于薄膜太阳能电池的透明电极、电致变色器件的电极材料、薄膜开关等领域。 
　　　产品参数： 
　　薄膜厚度：0.175±10 mm 
　　雾度：<2% 
　　宽度：406/360±2 mm 
　　粘附：100/100 
　　卷曲：≤10 mm 
　　透过率：≥ 80% 
　　表面电阻：90±15 Ω/□ 
　　面电阻均匀性：<7% 
　　热收缩：MD≤1.3，TD≤1.0 
　　热稳定性： 
　　高温：80oC,120hr ≤1.3 
　　低温：-40oC,120hr ≤1.3 
　　热循环：-30oC—80oC ≤1.3 
　　热/湿度： 60oC, 90% RH,120hr ≤1.3