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新型高压SBD的结构和材料与传统SBD是有区别的。传统SBD是通过金属与半导体接触而构成。由于电子比空穴迁移率大，为获得良好的频率特性，故选用N型半导体材料作为基片。为了减小SBD的结电容，提高反向击穿电压，同时又不使串联电阻过大，通常是在N+衬底上外延一高阻N－薄层。大家知道，金属导体内部有大量的导电电子。当金属与半导体接触（二者距离只有原子大小的数量级）时，金属的费米能级低于半导体的费米能级。在金属内部和半导体导带相对应的分能级上，电子密度小于半导体导带的电子密度。因此，在二者接触后，电子会从半导体向金属扩散，从而使金属带上负电荷，半导体带正电荷。由于金属是理想的导体，负电荷只分布在表面为原子大小的一个薄层之内。而对于N型半导体来说，失去电子的施主杂质原子成为正离子，则分布在较大的厚度之中。电子从半导体向金属扩散运动的结果，形成空间电荷区、自建电场和势垒，并且耗尽层只在N型半导体一边（势垒区全部落在半导体一侧）。势垒区中自建电场方向由N型区指向金属，随热电子发射自建场增加，云南开关二极管正负，云南开关二极管正负，与扩散电流方向相反的漂移电流增大，云南开关二极管正负，**终达到动态平衡，在金属与半导体之间形成一个接触势垒，这就是肖特基势垒。传统SBD是通过金属与半导体接触而构成。云南开关二极管正负
稳压二极管，是指利用PN结反向击穿状态，其电流可在很大范围内变化而电压基本不变的现象，制成的起稳压作用的二极管。，稳压二极管的伏安特性曲线的正向特性和普通二极管差不多，反向特性是在反向电压低于反向击穿电压时，反向电阻很大，反向漏电流较小。但是，当反向电压临近反向电压的临界值时，反向电流骤然增大，称为击穿，在这一临界击穿点上，反向电阻骤然降至很小值。尽管电流在很大的范围内变化，而二极管两端的电压却基本上稳定在击穿电压附近，从而实现了二极管的稳压功能。 云南开关二极管正负用来表示二极管的性能好坏和适用范围的技术指标，称为二极管的参数。
—稳定电压指稳压管通过额定电流时两端产生的稳定电压值。该值随工作电流和温度的不同而略有改变。由于制造工艺的差别，同一型号稳压管的稳压值也不完全一致。例如，2CW51型稳压管的Vzmin为,Vzmax则为。—反向漏电电流指稳压管产生稳定电压时通过该管的电流值。低于此值时，稳压管虽然也能稳压，但稳压效果会变差;**此值时，只要不**过额定功率损耗，也是允许的，而且稳压性能会好一些，但要多消耗电能。—动态电阻指稳压管两端电压变化与电流变化的比值。该比值随工作电流的不同而改变，一般是工作电流愈大，动态电阻则愈小。例如，2CW7C稳压管的工作电流为5mA时，Rz为18Ω;工作电流为10mA时，Rz为8Ω;工作电流为20mA时，Rz为2Ω;工作电流>20mA则基本维持此数值。—额定功耗由芯片允许温升决定，其数值为稳定电压Vz和允许较大电流Izm的乘积。例如2CW51稳压管的Vz为3V，Izm为20mA，则该管的Pz为60mW。
稳压二极管的故障主要表现在开路、短路和稳压值不稳定。在这3种故障中，**种故障表现出电源电压升高；后2种故障表现为电源电压变低到零伏或输出不稳定。正负极识别从外形上看，金属封装稳压二极管管体的正极一端为平面形，负极一端为半圆面形。塑封稳压二极管管体上印有彩色标记的一端为负极，另一端为正极。对标志不清楚的稳压二极管，也可以用万用表判别其极性，测量的方法与普通二极管相同，即用万用表R×1k档，将两表笔分别接稳压二极管的两个电极，测出一个结果后，再对调两表笔进行测量。在两次测量结果中，阻值较小那一次，黑表笔接的是稳压二极管的正极，红表笔接的是稳压二极管的负极。这里指的是指针式万用表。数字万用表由于测量电阻档所用电池与红黑表笔连接极性问题，测量二极管正负极结果与使用指针万用表结果相反，即测量结果较小那一次，黑笔接的是稳压二极管的负极，红表笔接的是稳压二极管的正极。二极管也可以用玻璃封装的。
SBD的主要优点包括两个方面：1）由于肖特基势垒高度低于PN结势垒高度，故其正向导通门限电压和正向压降都比PN结二极管低（约低0.2V）。2）由于SBD是一种多数载流子导电器件，不存在少数载流子寿命和反向恢复问题。SBD的反向恢复时间只是肖特基势垒电容的充、放电时间，完全不同于PN结二极管的反向恢复时间。由于SBD的反向恢复电荷非常少，故开关速度非常快，开关损耗也特别小，尤其适合于高频应用。但是，由于SBD的反向势垒较薄，并且在其表面较易发生击穿，所以反向击穿电压比较低。由于SBD比PN结二极管更容易受热击穿，反向漏电流比PN结二极管大。 SBD也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。吉林高压二极管参数
贴片二极管的封装类型有：SOD-123,SOD323,DO-214AA等。云南开关二极管正负
瞬态电压抑制二极管（TransientVoltageSuppressor）简称TVS，是一种二极管形式的高效能保护器件。当TVS二极管的两较受到反向瞬态高能量冲击时，它能以10的负12次方秒量级的速度，将其两较间的高阻抗变为低阻抗，吸收高达数千瓦的浪涌功率，使两较间的电压钳位于一个预定值，有效地保护电子线路中的精密元器件，免受各种浪涌脉冲的损坏。TVS二极管过电压反应的速度会比其他的过电压保护元件（例如压敏电阻或是气体放电管）要快。实际的箝位大约只有一皮秒，但因为实际电路中导线存在电感，因此保护元件需容许较长时间的大电压。因此TVS二极管会比其他元件适合保护电路不受很快，而且有破坏性的电压突波。像许多分散式的电路都有这种快速的过电压突波，可能因为内部因素或是外部因素造成，例如闪电或是马达短路。 云南开关二极管正负
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