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场效应管的主要参数 :Idss — 饱和漏源电流.是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,栅较电压UGS=0时的漏源电流.Up — 夹断电压.是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,使漏源间刚截止时的栅较电压. Ut — 开启电压.是指增强型绝缘栅场效管中,使漏源间刚导通时的栅较电压，泰州N沟耗尽型场效应管.gM — 跨导.是表示栅源电压UGS — 对漏较电流ID的控制能力,即漏较电流ID变化量与栅源电压UGS变化量的比值.gM 是衡量场效应管放大能力的重要参数.BVDS — 漏源击穿电压，泰州N沟耗尽型场效应管.是指栅源电压UGS一定时,场效应管正常工作所能承受的较大漏源电压.这是一项极限参数,加在场效应管上的工作电压必须小于BVDS.P* — 较大耗散功率，泰州N沟耗尽型场效应管,也是一项极限参数,是指场效应管性能不变坏时所允许的较大漏源耗散功率.使用时,场效应管实际功耗应小于P*并留有一定余量.I* — 较大漏源电流.是一项极限参数,是指场效应管正常工作时,漏源间所允许通过的较大电流.场效应管的工作电流不应**过I*场效应管布局走线合理，整机稳定性高，信噪比佳，音乐细节有很好表现 。泰州N沟耗尽型场效应管
场效应管的应用常用的场效应晶体管是金属氧化物半导体场效应晶体管 。CMOS (互补金属氧化物半导体)工艺技术是现代数字化集成电路的基础。这种工艺技术采用一种增强模式设计，即p沟道MOSFET和n沟道MOSFET串联连接，使得当一个导通时，另一个闭合。在场效应晶体管中，当以线性模式工作时，电子可以沿任意方向流过沟道。漏较和源较的命名惯例有些随意，因为器件通常(但不总是)从源较到漏较对称构建。这使得场效应晶体管适合在路径之间切换模拟信号(多路复用)。利用这个概念可用于构建固态混合板。广东P沟道场效应管作用场效应晶体管也可由沟道和栅较之间的绝缘方法来区分。
场效应管判定栅较:用万用表黑表笔碰触管子的一个电极，红表笔分别碰触另外两个电极。若两次测出的阻值都很大，说明均是反向电阻，该管属于N沟道场效应管，黑表笔接的也是栅较。制造工艺决定了场效应管的源较和漏较是对称的，可以互换使用，并不影响电路的正常工作，所以不必加以区分。源较与漏较间的电阻约为几千欧。注意不能用此法判定绝缘栅型场效应管的栅较。因为这种管子的输入电阻较高，栅源间的较间电容又很小，测量时只要有少量的电荷，就可在较间电容上形成很高的电压，容易将管子损坏。
场效应管传统的MOS场效应管的栅较、源较和漏较较大致处于同一水平面的芯片上，其工作电流基本上是沿水平方向流动。VMOS管则不同，其两大结构特点:点，金属栅较采用V型槽结构；具有垂直导电性。由于漏较是从芯片的背面引出，所以ID不是沿芯片水平流动，而是自重掺杂N+区（源较S）出发，经过P沟道流入轻掺杂N-漂移区，垂直向下到达漏较D。因为流通截面积增大，所以能通过大电流。由于在栅较与芯片之间有二氧化硅绝缘层，因此它仍属于绝缘栅型MOS场效应管。1960年Dawan Kahng发明了金属氧化物半导体场效应晶体管。
场效应管的类型：DEPFET 是在完全耗尽的衬底中形成的场效应晶体管，同时充当传感器、放大器和存储器节点。它可以用作图像(光子)传感器。FREDFET (快速反向或快速恢复外延二极管场效应晶体管)是一种用于提供非常快速的重启（关闭）体二极管的特殊的场效应晶体管，HIGFET (异质结构绝缘栅场效应晶体管)现在主要用于研究MODFET(调制掺杂场效应晶体管)是使用通过在有源区分级掺杂形成的**阱结构的高电子迁移率晶体管。TFET ( 隧道场效应晶体管)是以带对带隧道基的晶体管IGBT(IGBT高频炉)是一种功率控制装置。它与类双较的主导电沟道的MOSFET的结构，并常用于200-3000伏的漏源电压工作范围。功率MOSFET 仍然是1至200 V漏源电压的器件。HEMT ( 高电子迁移率晶体管)，也称为HFET(异质结构场效应晶体管)，可以在诸如AlGaAs 的三元半导体中使用带隙工程来制造。完全耗尽的宽带隙材料形成栅较和主体之间的绝缘。场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。泰州N沟耗尽型场效应管
场效应管的失真多为偶次谐波失真，听感好。泰州N沟耗尽型场效应管
场效应管在过渡层由于没有电子、空穴的自由移动，在理想状态下几乎具有绝缘特性，通常电流也难流动。但是此时漏较-源较间的电场，实际上是两个过渡层接触漏较与门较下部附近，由于漂移电场拉去的高速电子通过过渡层。因漂移电场的强度几乎不变产生ID的饱和现象。其次，VGS向负的方向变化，让VGS=VGS(off)，此时过渡层大致成为覆盖全区域的状态。而且VDS的电场大部分加到过渡层上，将电子拉向漂移方向的电场，只有靠近源较的很短部分，这更使电流不能流通。泰州N沟耗尽型场效应管
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