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1、焊接温度:HV3-3型真空共晶炉实际焊接最高温度≥500℃。 2、真 空 度:极限真空度≤10-4 Pa 工作真空:10-4Pa。 3、有效焊接面积:≥300mmm*300mmm 4、炉膛高度: ≥100mm,特殊高度定制。 5、加热方式:采用底部红外辐射加热+顶部红外辐射加热,热板采用半导体级碳化硅石墨平台,碳化硅石墨平台长期使用不易变形,而且具有很高导热性,使热板表面温度更加均匀。 6、温度均匀性:有效焊接面积内≤±2%。 7、升温速率:石墨加热平台最大升温速率≤120℃/min。 8、冷却速率:最大冷却速率60-120℃/min(空载最高温降温100℃的斜率)。 石墨加热平台:采用气冷+水冷结合冷却方式,实现热板的快速冷却,提高降温速率,并且实现在降温过程中温差过大造成器件烧结不良,降温速率可通过工艺进行控制,同时满足缓慢降温要求。 9、满足≤500℃的焊接材料焊接要求。 例如: In97Ag3、In52Sn48、Au80Sn20、SAC305、Sn90Sb10、Sn63Pb37、Sn62Pb36Ag2等预成型焊片(可无助焊剂共晶焊接)、各种成份的焊膏、及500度以下材料的固化。