半导体测试仪 半导体特性测试仪 支持定制
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行 业：仪器仪表 电子测量仪器 示波器
发布时间：2022-05-30
用晶体管图示仪观察显示3AG1E的输出特性时，基阶梯信号和集电扫描信号的性开关都拨向“-”。JT-1型晶体管图示仪“集电扫描信号”中，功耗限制电阻的作用是限制集电功耗，保护被测晶体管。绝缘栅双晶体管的开关速度低于电力场效应管。用晶体管图示仪观察三管正向特性时，应将X轴作用开关置于基电压，Y轴作用开关置于基电流。电力晶体管在使用时，要防止二次击穿。绝缘栅双晶体管内部为4层结构。斩波器中的绝缘栅双晶体管工作在开关状态。
晶体管仪电路图可以使用如下所示的电子计划的一个双晶体管仪。使用这种电子电路，我们可以排序晶体管，取决于类放大（电流增益140-270之间），B（270-500）或C（小于500）。对于正确的NPN晶体管是必要的，晶体管插入插座补习（根据晶体管），并打开开关S2的位置C.如果LED不轻的移动交换机S2在位置B，而如果不轻，甚至在这个位置上，将一个位置上的开关S2。
如果LED不亮甚至在一个位置，然后晶体管在小于140的电流放大或有缺陷。与S1按钮的基电流可以被打断，而此时指示灯应该（如果未脱，集电和发射晶体管之间有一个短路）。人员需要一个9伏直流电源电压。
晶体管仪电路图时基电路NE555、R1、R2、C2等组成振荡频率约16KHZ的自激振荡器，其输出信号通过三管VT1放大后驱动升压变压器T，在T次级输出感应脉动电压。此电压经VD1整流、C5滤波，在a点取得1.8KV左右的用直流高压电源。VT2、R7（或R8）、R3、C4等组成保护电路，当被测管穿透电流大于一定值（大功率管0.7mA，小功率管70μA）时，三管VT2饱合导通，NE555因*④脚为低电位而停振，a点电压降低，被测管的穿透电流下降，然后，NE555再次起振，a点电压上升，这种负反馈的作用结果使XA、XB两点间的电压稳定在被测管的耐压值上。时，将被测管按性接于XA、XB之间，测小功率管时，转换开关S拨向1端，测大功率管时S拨向2端，按动按钮SB，由外接的电压表PV直接读出被测管的耐压值。电阻R5用于泄放C5的残留高压，以防者遭电击。二管VD2用于抵消VT2基电位，使电压表读数更接近于被测管的耐压值。
电路使用两只CD4022或CD4017计数器IC1和IC2;一只单门方波振荡器G4;以及一个CD4011四与非门，G1至G3。每个端子串接一对LED，用于指示电流的方向。LED的颜色直接表示出晶体管的结端。图2是一个简单示意图，有助于理解的过程。每个端子都有一对NPN晶体管Q1与Q3和PNP晶体管Q4与Q6，连接到-V或+V上，它们在端子之间建立了所需电势差。电路生成端子之间所有可能或需要的+V与-V组合，以建立起结的关系。Q7和Q8作为电压转换器，而G1至G3是抑制器，防止T1至T3出现同时为+V和-V的冲突情况。
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