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高真空磁控溅射仪(磁控溅射镀膜机)是用磁控溅射的方法,制备金属、合金、化合物、半导体、陶瓷、介质复合膜及其它化学反应膜等;适用于镀制各种单层膜、多层膜、掺杂膜系及合金膜;可镀制磁性材料和非磁性材料。 设备关键技术特点 秉承设备为工艺实现提供实现手段的理念,我们做了如下设计和工程实现,实际运行效果良好,为用户的专用工艺实现提供了精准的工艺设备方案。 靶材背面和溅射靶表面的结合处理 -靶材和靶面直接做到面接触是很难的,如果做不到面接触,接触电阻将增大,导致离化电场的幅值不够(接触电阻增大,接触面的电场分压增大),导致镀膜效果不好;电阻增大导致靶材发热升温,降低镀膜质量。 -靶材和靶面接触不良,导致水冷效果不好,降低镀膜质量。 -增加一层特殊导电导热的软薄的物质,保证面接触。 距离可调整 基片和靶材之间的距离可调整,以适应不同靶材的成膜工艺的距离要求。 角度可调 磁控溅射靶头可调角度,以便针对不同尺寸基片的均匀性,做精准调控。 集成一体化柜式结构 一体化柜式结构优点: 安全性好(操作者不会触碰到高压部件和旋转部件) 占地面积小,尺寸约为:长1100mm×宽780mm(标准办公室门是800mm宽)(传统设备大约为2200mm×1000mm),相同面积的工作场地,可以放两台设备。 控制系统 采用计算机+PLC两级控制系统 安全性 -电力系统的检测与保护 -设置真空检测与报警保护功能 -温度检测与报警保护 -冷却循环水系统的压力检测和流量 -检测与报警保护 匀气技术 工艺气体采用匀气技术,气场更均匀,镀膜更均匀。 基片加热技术 采用铠装加热丝,由于通电加热的金属丝不暴露在真空室内,所以高温加热过程中不释放杂质物质,保证薄膜的纯净度。铠装加热丝放入均温器里,保证温常的均匀,然后再对基片加热。 真空度更高、抽速更快 真空室内外,全部电化学抛光,完全去除表面微观毛刺丛林(在显微镜下可见),没有微观藏污纳垢的地方,腔体内表面积减少一倍以上,镀膜更纯净,真空度更高,抽速更快。 高真空磁控溅射仪(磁控溅射镀膜机)设备详情 设备结构及性能 1、单镀膜室、双镀膜室、单镀膜室+进样室、镀膜室+手套箱 2、磁控溅射靶数量及类型:1 ~ 6 靶,圆形平面靶、矩形靶3、靶的安装位置:由下向上、由上向下、斜向、侧向安装 3、靶的安装位置:由下向上、由上向下、斜向、侧向安装 4、磁控溅射靶:射频、中频、直流脉冲、直流兼容 5、基片可旋转、可加热 6、通入反应气体,可进行反应溅射镀膜7、操作方式:手动、半自动、全自动 工作条件 供电 ~ 380V 三相五线制 功率 根据设备规模配置 冷却水循环 根据设备规模配置 水压 1.5 ~ 2.5×10^5Pa 制冷量 根据扇热量配置 水温 18~25℃ 气动部件供气压力 0.5~0.7MPa 质量流量控制器供气压力 0.05~0.2MPa 工作环境温度 10℃~40℃ 工作湿度 ≤50% 设备主要技术指标 -基片托架:根据供件大小配置。 -基片加热器温度:根据用户供应要求配置,温度可用电脑编程控制,可控可调。 -基片架公转速度 :2 ~100 转 / 分钟,可控可调;基片自转速度:2 ~20 转 / 分钟。 -基片架可加热、可旋转、可升降。 -靶面到基片距离: 30 ~ 140mm 可调。 -Φ2 ~Φ3 英寸平面圆形靶 2 ~ 3 支,配气动靶控板,靶可摆头调角度。 -镀膜室的极限真空:6X10-5Pa,恢复工作背景真空 7X10-4Pa ,30 分钟左右(新设备充干燥氮气)。 -设备总体漏放率:关机 12 小时真空度≤10Pa。