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沈阳鹏程真空技术有限责任公司
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发布时间：2022-01-09
ICP刻蚀机的操作及判断
1. 确认万用表工作正常，量程置于200mV。
2.冷探针连接电压表的正电极，热探针与电压表的负极相连。
3.用冷、热探针接触硅片一个边沿不相连的两个点，电压表显示这两点间的电压为正值，说明导电类型为P 型，刻蚀合格。相同的方法检测另外三个边沿的导电类型是否为P型。
4.如果经过检验，任何一个边沿没有刻蚀合格，则这一批硅片需要重新装片，进行刻蚀。
沈阳鹏程真空技术有限责任公司以诚信为首 ，服务至上为宗旨。公司生产、销售ICP刻蚀机，公司拥有强大的销售团队和经营理念。想要了解更多信息，赶快拨打图片上的热线电话！
方箱PECVD简介
该系统为单室薄膜太阳电池等离子增强化学气相沉积（PECVD）工艺研发设备，用来在硅片上沉积SiOx、SiNx、非晶硅、多晶硅、碳材料等薄膜，进口化学气相沉积设备报价，镀膜样品为156×156mm基片（并向下兼容）。
设备概述：
1.系统采用单室方箱式结构，手动前开门；
2.真空室:尺寸为350mm×350×280mm；
3.极限真空度：≤6.67x10-4 Pa (经烘烤除气后，采用分子泵抽气)；
系统真空检漏漏率：≤5.0x10-7Pa.l/S； 系统从大气开始抽气到5.0x10-3 Pa，35分钟可达到
（采用分子泵抽气，分子泵不配，进口化学气相沉积设备，预留分子泵接口)； 停泵关机12小时后真空度：≤5 Pa（采用分子
泵抽气，分子泵不配，预留分子泵接口)；
4.采用样品在下，喷淋头在上喷淋式进气方式；
5.样品加热加热温度：300℃，温控精度：±1°C，采用日本进口控温表进行控温；
6.喷淋头尺寸：200×200mm，喷淋头与样品之间电极间距20-80mm连续可调；
7. 沉积工作真空：13-1300Pa；
8.气路设有匀气系统，真空室内设有保证抽气均匀性抽气装置；
9.射频电源：频率 13.56MHz，功率500W，全自动匹配；
10.SiH4、NH3、CO2、N2、H2、PH3、B2H6、七路气体，共计使用7个质量流量控制器控制进气。
11. 系统设有尾气处理系统(高温裂解方式)。
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化学气相沉积法在金属材料方面的使用
沈阳鹏程真空技术有限责任公司生产、销售化学气相沉积，以下信息由沈阳鹏程真空技术有限责任公司为您提供。
化学气相沉积法生产金属铱高温涂层从20世纪80年代起，进口化学气相沉积设备哪家好，NASA 开始尝试使用金属**化合物化学气相沉积法制取出使用铼基铱作为涂层的复合喷管，并获得了成功，这时化学气相沉积法在生产金属涂层领域才有了一定程度上的突破。
NASA 使用了C15H21IrO6作为制取铱涂层的材料，并利用 C15H21IrO6的热分解反应进行沉积。铱的沉积速度很快，可以达到3~20μm/h。 沉积厚度也达到了50μm，C15H21IrO6的制取效率达 70%以上。
