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发布时间：2021-10-17
半导体类型/分类
有两个基本组或分类可用于定义不同的半导体类型：
本征材料：一种本征类型的半导体材料，化学成分非常纯。结果，它具有非常低的电导率水平，具有数量的电荷载流子，即空穴和电子，它拥有等量的电荷载流子。
外在材料：外在 类型的半导体是在基本本征材料中添加了少量杂质的半导体。这种“掺杂”使用来自不同周期表组的元素，现货交易SMT贴片生产厂家，这样它在价带中的电子将比半导体本身更多或更少。这会造成电子过剩或短缺。通过这种方式，可以使用两种类型的半导体： 电子是带负电的载流子。
N 型： N 型半导体材料具有过量的电子。以这种方式，自由电子在晶格内可用，并且它们在电势差的影响下沿一个方向的整体运动导致电流流动。这在 N 型半导体中，电荷载流子是电子。
P 型： 在 P 型半导体材料中缺乏电子，即晶格中有“空穴”。电子可能会从一个空位置移动到另一个位置，在这种情况下，可以认为空穴正在移动。这可能在电位差的影响下发生，并且可以看到空穴沿一个方向流动，从而导致电流流动。实际上空穴移动比自由电子移动更难，因此空穴的迁移率小于自由电子的迁移率。空穴是带正电的载流子。
关于电容器的知识
电容缩写为电容，用字母 C表示。
定义1：电容器，现货交易SMT贴片采购，顾名思义，是一个“装电的容器”，它是一种储存电荷的装置。英文名字： capacitor。在电子设备中，电容被广泛地应用于电子器件中，如隔直、耦合、旁路、滤波、调谐回路、能量转换、控制电路等。
定义2：电容器，任何两个彼此绝缘并且隔得很近的导体(包括导线)之间都构成电容器。
电容器/铝电解电容器
真空容器/漆膜电容器
复合型电容器/玻璃釉电容器
**薄膜电容器/导电塑料电位计
红外线热敏电阻/气体电阻
瓷瓶/钽电容器
纸介电容器/电子电位计
磁电阻电位计/湿敏电阻
感光电阻电位计/固定电阻
变阻器/排电阻器
其他电阻/电位计/熔断电阻/电位计
逆变器和光伏系统的性能要求使WBG器件应用成为
自从宽带隙 （WBG） 器件诞生以来，为功率变换应用带来了一股令人激动的浪潮。但是，在什么情况下从硅片转换到宽带隙技术才有意义呢？迄今为止，屏蔽栅较 MOSFET、**级结器件和 IGBT等基于硅的功率器件已经很好地在业界得到大规模应用。这些器件在品质因数 （FoM） 方面不断改进，加上在拓扑架构和开关机理等方面的进步，使工程师能够实现更高的系统效率。工程师坚持继续使用硅片的常见原因可能是在这方面拥有丰富的知识和经验。然而，在某些情况下，现货交易SMT贴片公司，下一代电源、逆变器和光伏系统的性能要求使WBG器件应用成为。
在中压应用中，英飞凌的 OptiMOS 能够提供业界更佳的品质因数。开关电源（SMPS）、逆变器和电池供电马达等需要100～200V MOSFET 的应用已经在使用这些高频优化器件。然而，随着人工智能 （AI） 协处理器等需要巨大电流的边缘运算应用越来越广泛，对提升电源供电效率和瞬态负载响应能力提出了要求。CoolGaN可提供明显优于任何同类中压硅器件的 FoM以及零反向恢复电荷，这使其成为半桥电路的选择。由于其晶体平面生长特性，使封装能够实现采用**部散热的创新机制。在 54V 输入/12V 输出的变换器中，基于 CoolGaN 的设计可提供 15A 电流，在500 kHz 开关频率时达到**过 96.5% 的峰值效率。这比同等OptiMOS 5 100V在100 kHz开关频率下效率提高了1%。
总体而言，CoolGaN 和 CoolSiC 都能够提供更好的 FoM，并且可实现比同类硅器件更高的效率。但是，这些并不是需要考虑的因素，价格同样很重要，现货交易SMT贴片，采用新技术带来的相关风险也是如此。GaN 和 SiC 都具有不同的驱动和工作特性，为了充分发挥这些技术的潜力，可能还需要新的拓扑架构或控制技术。
