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当今，功率电子器件的发展方向是大功率、**高频，热耗散成为关键技术问题。本文对常用和前瞻性的陶瓷基和金属基高热导率的材料作了介绍和评估。特别是指出了它们在实际应用中优缺点。
真空电子二极管、三极管分别于1904年和1906年诞生。因此，称20世纪50年代以前为真空电子器件时代，当时其发展速度和重要地位实属惊人。以1947年半导体三极管发明起，并经过10年的发展，到6O年代已进入半导体三极管的时代，随着整个shijie高科技的发展，依次进入IC时代(70年代)、LSI时代(80年代)、VLSI时代(90年代)，20世纪初已跨入ULSI时代。毋庸置疑，随着功率电子器件的迅速发展，其相关技术的封接、封装用材料和工艺也相应得到飞跃的进步。功率电子器件的设计，zu主要包括电参数设计、结构设计和热耗散设计。热耗散的指标已是器件质量和高可靠的重要内容。迄今，真空电子器件的发展方向仍然是大功率、**高频。频率有至毫米波、亚毫米波，功率有达千瓦级、兆瓦级，这就是体积变小，功率变大，因而必须有大量的比热量要耗散掉。
对分立器件和Ic也一样，半导体芯片数越来越多，布线和封装密度越来越高的功率电路中，器件越来越复杂，又将导致基片尺寸增大和集成度提高，其集成工艺从现在的微米技术进入了亚微米(0.1～0.5μm)领域，使得基片功率耗散增加，半导体元件绝缘基片的热效应显得更为重要。这将导致集成块单位体积内所产生的热量大幅度增加，如果这些热量不能迅速散发出去，集成块将难以正常工作，情况严重时，甚至可以导致集成块被烧损。据报道，当芯片发热量在3 W 以上时，像Al2O3那样一般基板材料的散热性能很难满足要求。