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不同的电源有不同的要求。真正的实际应用中还有很多限制的,确实如此,板框导致布局的限制,空间的限制,EMI 线路放不下,比如可控硅调光电源 X 电容不能太大,加太大了,灯会闪烁。有时电源不能加 Y 电容等。EMI 整改:1、对于差模干扰超标可调整 X 电容量,添加差模电感器,调差模电感量;2、对于共模干扰超标可添加共模电感,广州芯片EMI分析整改系统,选用合理的电感量来压制;3,广州芯片EMI分析整改系统、也可改变整流二极管特性来处理一对快速二极管如 FR107 一对普通整流二极管 1N4007。5M 以上,广州芯片EMI分析整改系统,以共摸干扰为主,采用压制共摸的方法(整改建议)对于外壳接地的,在地线上用一个磁环串绕 2-3 圈会对 10MHZ 以上干扰有较大的衰减作用; 可选择紧贴变压器的铁芯粘铜箔, 铜箔闭环.处理后端输出整流管的吸收电路和初级大电路并联电容的大小。在输出端合理配置电感或铁氧体磁珠,这样电路动态功率将从近端的电容获取。广州芯片EMI分析整改系统
EMI,电磁干扰度,描述电子、电气产品在正常工作状态下对外界的干扰;EMI又包括传导干扰CE(conductionemission)和辐射干扰RE(radiationemission)以及谐波harmonic。EMC包括EMI(interference)和EMS(susceptibility),也就是电磁干扰和电磁抗干扰。EMI(ElectromagneticInterference)直译是“电磁干扰”。EMI是指电子产品工作会对周边的其他电子产品造成干扰,与此关联的还有EMC规范。EMC电磁能量的检测、抗电磁干扰性试验、检测结果的统计处理、电磁能量辐射压制技术、雷电和地磁等自然电磁现象、电场磁场对人体的影响、电场强度的国际标准、电磁能量的传输途径、相关标准及限制等均包含在EMC之内。EMI是电子电器产品经常遇上的问题。干扰种类有传导干扰和辐射干扰。广州芯片EMI分析整改系统插在线路与机架之间,不同的噪声象瞬态响应,为输出滤波电容及滤波电感的函数。
原板上所用变压器,只在外面增加一个屏蔽层。测试可以通过不过余量很小只有1dB。显然来能保障批量生产可能造成的不确定性。根据以上的情况做了第二次修改,将变压器更新成前面提到过的改变了绕线方式的变压器。用频谱分析仪重新查看了一产品的变压器的位置和MOS 管的位置。发现MOS 管的位置曲线不是有点高,并且成有规律的波形。用频谱分别对MOS 管的G、D、S 三个脚接触看一下是哪个脚是辐射源,发现D 极的辐射源大。于是我在D 极上串了一个通用的插件磁珠。
经过两次的修改该产品顺利的符合了客户要求的标准测试。终的整改方案为:1. 将MOS 管,双向二极管的散热片面接入电源的热地。2. 将X 电容改为0.22uF。3.将共模电感改为50mH.4. 在MOS 管的D 线电路的正面串入一个插件的磁珠。去消在D、S 间并接的101 电容。5. 将变压器的绕线方式改变了一下,取消内部的屏蔽,而在外部加了一个屏蔽层。并接入热地。其实EMC 的整改主要是电源的整改因为任何产品都要有电源来供电,此处没有处理好一定会影响到其它的地方。不论是什么产品它的辐射或传导主要有这个产品内部的敏感元器件造成的。对于电源产品主要有的敏感元器件就是变压器、MOS 管、二极管。所以只要解决好这三个方面的协调问题EMC 就不难搞定。而解决EMC 的方法概括来说就是:消除干扰源、切除干优传导的途径、疏导干扰源。电流的强度与闭合环路的面积成正比。
培训针对研发相关工程师在产品测试与认证过程中,辐射发射以及传导发射问题的测试原理,解决思路,各类整改的方法与对策、EMI诊断工具的使用进行讲解,整个课程与工程师研发实际工作紧密联系;整个教学过程,辐射发射以及传导发射问题的定位与整改,结合技术已经成功解决项目案例进行讲解,以便让学员在产品问题解决过程中,少走或不走弯路,能够在短时间内掌握与吸收成功的EMI问题解决经验;加强整个授课环节的互动沟通与交流,参加学习人员在自己工作实践当中碰到的困惑与难题都可以在培训课上得到老师的指点与解答,同时培训课间以及课后都留有时间与学员进行问题探讨、问题分析和解答。开关晶体管,MOSFET,二极管,变压器及电感谢是主要的RFI的源泉。广州芯片EMI分析整改系统
讯号线下方的地要完整,要有完整的参考面。广州芯片EMI分析整改系统
高速线,一般是SDRAM、及数字视频信号的VCLK了,好在其走线背面有地铜层,没有条件的,至少要有一条较宽的地线“护送”,能包地就更理想了,有的时候需要在靠MCU一端串电阻,消除过冲(过冲对辐射影响很大),不要串得太大,以免引起延迟;还有就是背面不要有平行的线,正面也是;另外就是USB,要走差分线;低速较长的线,也不容忽视,尽可能用RC压制高频分量,靠近对外的接口处,要串磁猪, 电源进线处,串小的共模电感,总而言之,辐射过强是较大的dv/dt,及较大的环路面积引起,想办法压制电压瞬变,降低信号过冲,缩小信号与电流回流的环路面积。广州芯片EMI分析整改系统
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